永裕泰(YONGYUTAI)

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晶导微电子

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康比电子(HORNBY)

直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

LGE

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LGE

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Toshiba(东芝)

直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：500mA 正向压降（Vf）：2.7V @ 500mA

Toshiba(东芝)

直流反向耐压（Vr）：400V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.8V @ 1A

台湾固锝(GD)

直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1V @ 1A

Good-Ark

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星海

直流反向耐压（Vr）：300V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A

深圳辰达行电子(MDD)

直流反向耐压（Vr）：300V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A

台湾固锝(GD)

直流反向耐压（Vr）：400V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A

台湾美丽微(FMS)

直流反向耐压（Vr）：400V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A 1A

LGE

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星海

直流反向耐压（Vr）：800V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A

深圳辰达行电子(MDD)

直流反向耐压（Vr）：800V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A

平伟(PINGWEI)

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台湾唯圣(GW)

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LGE

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星海

直流反向耐压（Vr）：1V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A

深圳辰达行电子(MDD)

直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A

扬杰科技(YANGJIE)

此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。

台湾唯圣(GW)

200V 2A

LGE

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台湾固锝(GD)

直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：2A 正向压降（Vf）：1V @ 2A

台湾唯圣(GW)

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台湾美丽微(FMS)

直流反向耐压（Vr）：300V 平均整流电流（Io）：2A 正向压降（Vf）：1.3V @ 2A

深圳辰达行电子(MDD)

直流反向耐压（Vr）：300V 平均整流电流（Io）：2A 正向压降（Vf）：1.3V @ 2A

台湾固锝(GD)

直流反向耐压（Vr）：400V 平均整流电流（Io）：2A 正向压降（Vf）：1.3V @ 2A

台湾唯圣(GW)

400V 2A