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PDZVTFTR30B

隔离式稳压二极管, 额定齐纳电压30V, 贴片安装, 最大功率耗散1W, SOD-128封装

产品类别:分立半导体    二极管   

制造商:ROHM(罗姆半导体)

官网地址:https://www.rohm.com/

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PDZVTFTR30B概述
PDZVTFTR30B 是具有 1W 最大功耗的齐纳二极管。 它具有小型模制类型和硅外延平面结构。它主要用于电压调节应用。具有高可靠性特性。
PDZVTFTR30B规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;二极管
厂商名称
ROHM(罗姆半导体)
系列
Automotive, AEC-Q101, PDZVTF
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
32 V
容差
±6.67%
功率 - 最大值
1 W
阻抗(最大值)(Zzt)
18 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 23 V
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-128
供应商器件封装
PMDTM
基本产品编号
PDZVTFTR30
PDZVTFTR30B文档预览
PDZVTF30B
Zener Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
 
 
                                     
     
     
Outline
P
D
 
1000
 
mW
 
 
 
 
 
 
 
 
   
Inner Circuit
Features
High reliability
Small power mold type
Application
Voltage regulation
Structure
Silicon Epitaxial Planar
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
)
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
12
Quantity(pcs)
3000
T
aping Code
TR
Marking
30B
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
D
T
j
T
stg
Limits
1000
150
-55
½
150
 
Unit
mW
www.rohm.com
© 2018- ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2019/04/18_Rev.005
PDZVTF Series
V
Z
Rank(V)
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
                                   
Data sheet
Symbol
Zener Voltage:V
Z
(V)
(1)
Dynamic Impedance:Z
Z
(Ω) Reverse Current:I
R
(μA)
Electrical Characteristics (T
a
= 25ºC)
MIN.
2.000
2.200
2.400
2.700
3.000
3.300
3.600
3.900
4.300
4.700
5.100
5.600
6.200
6.800
7.500
8.200
9.100
10.000
11.000
12.000
13.300
14.700
16.200
18.000
20.000
22.000
24.000
27.000
30.000
33.000
36.000
MAX.
2.240
2.450
2.700
3.100
3.400
3.700
4.000
4.400
4.800
5.200
5.700
6.300
7.000
7.700
8.400
9.300
10.200
11.200
12.300
13.500
15.000
16.500
18.300
20.300
22.400
24.500
27.600
30.800
34.000
37.000
40.000
I
Z
(mA)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
MAX.
25
20
15
15
15
15
15
15
15
10
8
8
6
6
4
4
6
6
8
8
10
10
12
12
14
14
16
16
18
18
20
I
Z
(mA)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
MAX.
200
200
200
200
100
80
60
40
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
V
R
(V)
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
17.0
19.0
21.0
23.0
25.0
27.0
Note(1) V
Z
test time is 40ms.
Markings
 
V
Z
Rank(V)
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
Marking
2.0B
2.2B
2.4B
2.7B
3.0B
3.3B
3.6B
3.9B
4.3B
4.7B
5.1B
5.6B
6.2B
6.8B
7.5B
8.2B
V
Z
Rank(V)
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
Marking
9.1B
10B
11B
12B
13B
15B
16B
18B
20B
22B
24B
27B
30B
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PDZVTF Series
Characteristic Curves
                                   
Data sheet
                                                                                        
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PDZVTF30B
Characteristic Curves
                                   
Data sheet
                                                                                        
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PDZVTF30B
Characteristic Curves
                                   
Data sheet
                                                                                        
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