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RBQ10NS45ATL

二极管阵列 1 对共阴极 肖特基 45 V 10A 表面贴装型 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

产品类别:分立半导体    二极管   

制造商:ROHM(罗姆半导体)

官网地址:https://www.rohm.com/

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RBQ10NS45ATL概述
RBQ10NS45ATL 是一款共阴极类型的肖特基势垒二极管,具有低 VF、低 IR 和 ESD 高耐受性能,适用于 PC、手机和各种便携式电子产品。
RBQ10NS45ATL规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;二极管
厂商名称
ROHM(罗姆半导体)
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
二极管配置
1 对共阴极
技术
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
45 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
650 mV @ 5 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
70 µA @ 45 V
工作温度 - 结
150°C(最大)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
LPDS
基本产品编号
RBQ10
RBQ10NS45ATL文档预览
RBQ10NS45A
Schottky Barrier Diode
Data sheet
V
A
A
     
 
                                                 
Outline
V
R
I
o
I
FSM
45
10
50
 
 
 
 
 
 
 
   
Inner Circuit
Features
High reliability
Power mold type
Cathode common dual type
Low I
R
Application
Switching power supply
Structure
Silicon epitaxial planar
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
330
T
aping Width(mm)
24
Quantity(pcs)
1000
T
aping Code
TL
Marking
BQ10NS45A
Absolute Maximum Ratings (T
c
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Average rectified forward current
Peak forward surge current
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
Conditions
Duty
0.5
Reverse direct voltage
60Hz half sin waveform
resistive load
I
o
/2 per diode
T
c
=130
Max.
60Hz half sin waveform
non-repetitive
per diode
T
a
=25
Limits
45
45
10
50
150
-55
½
150
Unit
V
V
A
A
-
-
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
θJA
.
o
Attention
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© 2018- ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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RBQ10NS45A
Electrical Characteristics
                                   
Data sheet
(T
j
=25ºC unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
V
F
I
R1
I
R2
I
F
=5A
V
R
=40V
V
R
=45V
Parameter
Forward voltage
(1)
Reverse current
(1)
Note (1) Value per diode
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
0.55
5
10
0.65
40
70
V
μA
μA
Thermal Characteristics
                                                 
               
Parameter
Thermal Resistance (Junction to case)
(1) (2)
Thermal Resistance (Junction to ambient)
(1) (3)
Notes (1) Value is guaranteed by design.
(2) Transient dual interface measurement (TDIM) method.
Symbol
Per diode
Per device
 
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
-
-
3.0
1.9
55
/W
/W
/W
R
θJC
R
θJA
(3) Mounted on 50 x 50 x 1.6mm FR4 board
single-sided copper
35μm thickness
reference footprint.
Characteristic Curves
                                                                                        
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RBQ10NS45A
Characteristic Curves
                                   
Data sheet
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Characteristic Curves
                                   
Data sheet
                                                                                        
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RBQ10NS45A
Characteristic Curves
                                   
Data sheet
                                                                                        
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