首页 > 器件类别 > 分立半导体 > MOS(场效应管)

2312

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道,20V,6.8A,21mΩ@4.5V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:谷峰(GOFORD)

厂商官网:http://www.goford.cn/

下载文档
2312 在线购买

供应商:

器件:2312

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6.8A
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
21mΩ @ 4.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.25W
类型
N沟道