IS46DR16160A-5BBLA2,IS46DR16160A-5BBLA2 pdf中文资料,IS46DR16160A-5BBLA2引脚图,IS46DR16160A-5BBLA2电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IS46DR16160A-5BBLA2相近的元器件有：IS43DR83200A-37CBLI、IS46DR16160A-5BBLA1、IS43DR83200A-37CBI、IS46DR16160A-37CBLA1、IS43DR83200A-3DBLI、IS46DR16160A-37CBA1。描述及对比如下：

型号	IS46DR16160A-5BBLA2	IS43DR83200A-37CBLI	IS46DR16160A-5BBLA1	IS43DR83200A-37CBI	IS46DR16160A-37CBLA1	IS43DR83200A-3DBLI	IS46DR16160A-37CBA1
描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
针数	84	60	84	60	84	60	84
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	266 MHz	200 MHz	266 MHz	266 MHz	333 MHz	266 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	12.5 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	8	16	8	16	8	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	60	84	60	84	60	84
字数	16777216 words	33554432 words	16777216 words	33554432 words	16777216 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	16000000	32000000	16000000	32000000	16000000	32000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX16	32MX8	16MX16	32MX8	16MX16	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.21 mA	0.27 mA	0.21 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.33 mA	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	含铅
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Factory Lead Time	12 weeks	-	12 weeks	12 weeks	12 weeks	12 weeks	16 weeks
JESD-609代码	e1	e1	e1	-	e1	e1	e0
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	260	260	NOT SPECIFIED
筛选级别	AEC-Q100	-	AEC-Q100	-	AEC-Q100	-	AEC-Q100
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	-	40	40	NOT SPECIFIED

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通过微型逆变器获得可再生能源

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车辆中的USB Type-C与PD控制器设计的考量要素

随着便携式电子设备的广泛普及，用户在开车时为自己的设备充电变得越来越频繁。USB供电功能让设备充电变得极为便利。USB的高数据率也让新一代信息娱乐系统支持丰富多样的车载功能，如音频播放、屏幕和应用共享，以及数据连接等等。传统USB Type-A接口已经广泛应用于汽车OEM厂商的各种车型，其供电能力最高为7.5W(5V电压，最高1.5A电流)。随着USB Type-C接口在PC机、智能手机和...[详细]
AVR芯片的ISP全攻略+熔丝补救方法

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澳柯玛多项冰箱应用技术项目通过成果鉴定

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加速投资韩国电池厂能薅到美国羊毛吗?

由于韩国与美国签订了自由贸易协定，在韩国生产、随后安装制造在美国的电动汽车上的电池可能有资格获得联邦税收抵免。因此，中国电池材料企业正在加大对韩国的投资。中韩两国都希望利用韩国与美国签订的自由贸易协定达成合作项目，实现双赢。在过去的四个月里，中国企业和韩国当地合作伙伴宣布了总价值约为5.6万亿韩元（约44亿美元）的五个电池材料工厂，其中包括浦项制铁（POSCO Future M）和S...[详细]
S3C2440开发板上BMP图片的显示之二

二、BMP图片显示测试程序设计 1、测试程序结构设计（1）目的确认对BMP结构的认识，加深对RGB颜色格式的理解。能够在液晶上显示一个160 x 128 大小的图片。（正好与液晶的大小相同）（2）实现方案添加一个命令mptest。在命令处理程序中，先打开图片文件，读入前面54个字节。检查“BM”标志，如果不是BMP退出。将BMP文件的主要信息读入BMPINFO结构体，如果文件...[详细]
三星Galaxy A12跑分曝光：搭载联发科Helio P35芯片与3GB运存

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2018上半年四家半导体晶圆代工企业财报报表分析

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人工智能疑为概念炒作？荣耀Magic到底有多少真实力

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产量激增短板犹在国产机器人价格优势面临挑战！

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西部数码推新款My Passport SSD：读取高达1050MB/s

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打响自动驾驶芯片大战，英特尔能否重现PC辉煌

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多费率电能表设计策略分析

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