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KIA30N06BD

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:N沟道 环保

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:可易亚半导体(KIA Semiconductors)

厂商官网:http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
25A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
30mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
34.7W
类型
N沟道
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