首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

MMBD4448TW_R1_00001

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

下载文档
MMBD4448TW_R1_00001 在线购买

供应商:

器件:MMBD4448TW_R1_00001

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
R-PDSO-G6
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
配置
SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
元件数量
3
端子数量
6
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
0.15 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
最大功率耗散
0.2 W
最大重复峰值反向电压
100 V
最大反向恢复时间
0.004 µs
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL