首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

P4KE10CA_B0_00001

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.55V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

下载文档
P4KE10CA_B0_00001 在线购买

供应商:

器件:P4KE10CA_B0_00001

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压
10.5 V
最小击穿电压
9.5 V
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-41
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散
400 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压
8.55 V
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
AG32 下的分散加载
AG32下的分散加载分散加载:在实际应用中,有时候需要强制把一段数据,或一段代码,固定到指定的一个地址。这个时候,就不能使用默认的编译配置,需要自己来配置连接属性。AG32中可以通过修改ld配置,达成这样的目的。分散加载在gcc下的限制:不能插入到代码段,只能放到正常编译的bin后边(参后详述)。在默认情况下,AG32编译时使用的连接配置文件是AgRV2K_FLASH.ld,位于:AgRV_pio\packages\fra...
HIZYUAN 综合技术交流
电驱动钛丝(SMA)的可靠性设计(7) 接触面设计
【前言】形状记忆合金(Shapememoryalloy,SMA),也叫形态记忆合金、钛镍记忆合金,它是由Ti(钛)-Ni(镍)材料组成,经过多道工序制成的丝,我们简称钛丝,可以通过电路驱动钛丝发生运动。相比于传统的电机、电磁铁动力,钛丝是一种新型的动力元件。钛丝驱动技术目前已经在航空航天、洲际导弹、无人机、手机、汽车、机器人等科技领域投入使用。本文通过分享、普及钛丝驱动技术的可靠性设计,方便大家在机械电子工业设计等领域快速有效的转化为科技成果。第7节【接...
272151979 综合技术交流
有需求的进:希捷Seagate 出售160,000多个未使用过的Kemet电容器
工业设备资产管理交易平台GoIndustryDoveBid(高富公司,简称Go-Dove)受希捷电子Seagate委托,出售160,000多个未使用过的Kemet电容器。现货量大,价格优惠现为您提供一次独特机会可立即购买这批高性价比设备。出售详细信息如下:Kemet电容器(未使用过的)•型号:T520H158M006ATE055•数量:共160,940个•系列:TF520•电容量:1500uF•...
eric_wang 综合技术交流
手机答题抽奖啦:Microchip高端千兆以太网专题知识!红包奖品等你拿
亲,你一天当中有多长时间是在地铁里度过的?总有一种坐地铁是虚度光阴的感觉要是能一边坐地铁,一边用手机参加EEworld论坛活动就最好了习惯了之前的电脑答题现在,玩转你的手机,轻松赢得奖品(对于本次的体验有任何的优缺点,欢迎跟帖讨论)点击进入活动详情活动时间即日起-3月31日参与方式1、手机微信扫描下方二维码2、回复关键词:Microchip。参与答题赢奖品的活动。评奖规则1、本活动只...
EEWORLD社区 综合技术交流
跪求CD4025的资料啊!!
跪求CD4025的资料啊!!跪求CD4025的资料啊!!撒狗搜一下就有了,不要跪。http://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4001b.pdf看现在来跪的成本还顶不上自己动手搜索。如下:...
STORMc 综合技术交流
DVP和MIPI接口,哪个EMI更小?
摄像头的DVP是数字并行接口,一搬使用3.3V供电。MIPI是差分串行接口,使用MIPI的时钟频率至少是8位DVP接口时钟的8倍。比如DVP_CLK为25MHz,MIPI_CLK至少为200MHz。那么在相同的条件下,比如同样使用4层PCB,相同布局和布线长度,MIPI和DVP哪个EMI更小呢?顺便分享一个类似TI文档:High-SpeedLayoutGuidelinesforReducingEMIforLVDSSerDesDesignsDVP和MIPI接口...
littleshrimp 综合技术交流