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PJMBZ6V2

Protection Device TVS/ESD Arrays

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
6.6 V
最小击穿电压
5.89 V
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散
150 W
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
4.3 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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