电子工程世界
Datasheet
型号
型号
关键词
X
首页
技术
模拟电子
单片机
半导体
电源管理
嵌入式
传感器
应用
汽车电子
工业控制
家用电子
手机便携
安防电子
医疗电子
网络通信
测试测量
物联网
大学堂
首页
直播
专题
TI 培训
论坛
TI 技术论坛
ST MEMS 传感器技术
单片机
电机驱动控制
模拟电子
电源技术
PCB 设计
RF/无线
电子竞赛
DIY/开源硬件专区
颁奖专区
活动中心
直播
发现活动
颁奖区
电子头条
参考设计
下载中心
分类资源
文集
排行榜
电路图
Datasheet
X
搜索
首页
>
器件类别
>
分立半导体
>
晶体管
PJP12N65
Power Mosfet 功率MOSFET
器件类别:
分立半导体
晶体管
厂商名称:
强茂(PANJIT)
厂商官网:
http://www.panjit.com.tw/
器件标准:
下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
雪崩能效等级(Eas)
990 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (ID)
12 A
最大漏源导通电阻
0.8 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
48 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON