TDM3452

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 5.1mΩ@4.5V

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：泰德(Techcode)

厂商官网：http://www.techcodesemi.com/cn/index.asp