50SMC474JST,50SMC474JST pdf中文资料,50SMC474JST引脚图,50SMC474JST电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与50SMC474JST相近的元器件有：50SMC473JST、50SMC473KST、50SMC104JST、50SMC104KST、50SMC103JST、50SMC103KST、50SMC474KST、50SMC334KST。描述及对比如下：

型号	50SMC474JST	50SMC473JST	50SMC473KST	50SMC104JST	50SMC104KST	50SMC103JST	50SMC103KST	50SMC474KST	50SMC334KST
描述	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.047uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.047uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.1uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.1uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 50V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)	rubycon(红宝石)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
电容	0.47 µF	0.047 µF	0.047 µF	0.1 µF	0.1 µF	0.01 µF	0.01 µF	0.47 µF	0.33 µF
电容器类型	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR	FILM CAPACITOR
介电材料	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER	POLYESTER
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2
制造商序列号	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST	SMC-ST
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT
负容差	5%	5%	10%	5%	10%	5%	10%	10%	10%
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR PACKAGE
正容差	5%	5%	10%	5%	10%	5%	10%	10%	10%
额定（直流）电压（URdc）	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形状	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE

MSP430G2553低电压运行: 使用的芯片是MSP430G2553 因为是低功耗产品使用电池供电，产品上有一片最低电压为1.7V的...; chenhaixin 微控制器 MCU

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arm的汇编指令及特点

指令和伪指令：前者编译后会生成一串1和0组成的机器码，后者帮助前者进行编译过程，不会生成机器码。 ARM汇编特点1：LDR/STR架构 ARM采用RISC架构，CPU本身不能直接读取内存，而需要先将内存中内容加载入CPU中通用寄存器中才能被CPU处理。 ldr（load register）指令将内存内容加载入通用寄存器。 str（store register）指令将寄存器内容存入内存空间中...[详细]
NXP推ATOP信息处理平台实现汽车无线互联方案

在当今信息爆炸的时代，获取信息的途径也呈现多样化，从原来的广播、电视，到现在的PC、平板电脑、手机等移动设备，使信息也具有了实时性和流动性，用户获取最新信息也更方便。汽车作为移动终端之一，内部的信息娱乐系统也越来越丰富，它也将成为信息的移动载体之一，与用户、基础设备等进行互联。而让这成为现实的一大技术就是无线互联技术，如NFC等技术。恩智浦半导体（NXP）大中华区汽车电子业务部总经理...[详细]
三星电子全球率先量产40纳米DDR3 Dram

　　日前，三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。　　据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生产效率...[详细]
浅析LED常规性老化方式及如何防止产品老化

　　 LED 常规性老化试验对比　　一般来说，尤其是大功率LED 在初始点亮阶段光度都会有一定的衰减， LED封装厂为了提供给应用端厂商发光稳定的产品，或者是应用端厂商家为了获得稳定的led材料，通常都会做一些老化试验。当然LED老化试验有多种方式，如常规性老化、过电流冲击破坏性试验等等。　　LED厂商通常会用以下几种方式进行常规性老化：　　1、多颗管串联老化：恒压老化电路和恒流...[详细]
苹果官方解读iPhone11 Pro为什么敢叫 Pro

有很多人迷惑iPhone11 Pro凭什么敢叫 Pro，对于这个问题，苹果官方微信公众号特地发表文章进行解答。 1.三摄系统：加个摄像头，听上去很简单。但如果让三个摄像头用起来就像是一个，这就很难了(长焦：52mm焦距、光学图像防抖、2倍光学焦距、广角：26mm焦距、光学图像防抖、100%Focus Pixels、超广角：13mm焦距、120°视角、四倍取景范围)。因为三个摄像头的光学特性...[详细]
Zigbee框架体系结构及组网技术的研究及应用

摘要：基于Zigbee网络的分层网络框架体系结构和以IEEE802.15. 4为基础的协议栈架构，采用理论介B和实验验证相结合的方法，首先对Zigbee网络框架结构体系进行了介绍，接着通过无线控制开关与照明设备间的无线连接方式和路由选择实验，来验证Zigbee网络的自主搜索、自主组网的技术特点，最后得出Zigbee作为一种新型的无线网络形式，在无线物联传感方面有巨大的优势，必将在无线传感网络中获...[详细]
三星复活秘招：掌握面板技术+简化产品

三星电子在智慧机低潮中绝地反攻，第二季初估财报交出两年最佳成绩单，究竟如何办到？分析师指出，S7 Edge的双曲面萤幕成功区隔市场、引爆买气，该公司又简化产品线、压低成本，他们乐观预估三星长期前景看好，将继续维持领导地位。英国金融时报报导，三星第二季初估营益达70亿美元。外界推估，行动装置部门的营益达35亿美元，贡献了本季半数营益。法国巴黎银行的Peter Yu说，今年之初，没人想到会有...[详细]
台积电 CoWoS 月产能 2024Q1 要达 4 万片，三大因素将缓解先进封装产能吃紧情况

12 月 12 日消息，根据集邦咨询最新报告，受到三星加入竞争、台积电提高产能，以及部分 CSP 更改设计这三大因素影响，将极大缓解先进封装产能供应紧张情况。业界人士认为，当前全球 AI 芯片产能吃紧，其中最主要的原因是先进封装产能不足。而由于三大因素，先进封装产能荒的情况有望提前结束。三星加入竞争在美光和 SK 海力士之外，三星正计划推进 HBM 技术。三星公司通过加强和台积电的合...[详细]
直流变换器型高频链逆变技术

直流变换器型高频链逆变器由直流变换器和极性反转逆变桥构成,包括单向直流变换器型、双向直流变换器型和双向正反激组合直流变换器型等高频链逆变器电路结构,具有电路结构简洁、直流变换级工作在SPWM(输出电压调节范围宽)、极性反转逆变桥功率开关电压应力低且为ZVS、输出滤波器负载减轻等优点。逆变器类型由前置直流变换级类型决定,包括电压源和电流源两类。双向直流变换器型高频链逆变框图如图7所示。...[详细]
武林教你学PIC32（八）I2C EEPROM 24LC256

首先介绍下EEPROM 24LC256，它是PIC生产的电擦写式只读存储器EEPROM，容量为256KB，支持2线串行接口，也就是I2C接口（不了解I2C自己上网补下功课），它的器件地址为0X1010A2A1A0。其中A2A1A0是可以配置的，板上是连着GND的，所以它的器件地址是0X50。我们看看板上器件连线形式，可以看到是连接到I2C1上的，而且已经有上拉电阻了。我们实现的...[详细]
技术解析：球泡灯与射灯类灯具散热结构设计

散热主要有三种方式：传导、对流和辐射。对球泡、射灯类灯具而言，传导方式起最主要的作用。为了取得好的导热效果，三个导热环节应合理采用热导材料，并尽量提高对流散热和热辐射。　　热源对于热传导来说十分关键，热源来自两部分：光源和电源。光源部分的热量，通常要注意光源PCB与散热体的贴合面间的有效接触面积，有效接触面积越大，散热性越好。此外，要注意不同介质间热传导界面尽可能光滑；热传导物之间贴合要足够紧...[详细]
区块链驱动电网转型升级

目前，区块链已成为社会关注的焦点，各行业企业均在探索区块链的发展应用。在电力行业，区块链在国家电网有限公司、南方电网公司均有落地项目，主要应用在交易类、存证类与授权管理类三类场景。按照电网专家们的设想，未来区块链在电网行业的发展方向主要包括电力交易、产业金融服务、新兴业务、产业上下游企业互通四个方面。不可篡改提升交易公平与效率 “区块链有助于电网企业适应电改形势，满足庞大交...[详细]
受益于指纹识别市场，利扬芯片上半年营收增长超38%

电子网综合报道，利扬芯片近日公布的2017年上半年报告显示，截止2017年6月30日，2017年上半年营业收入为5687.85万元，较上年同期增长38.54%；归属于挂牌公司股东的净利润为1003.95万元，较上年同期下滑6.62%；基本每股收益为0.11元，上年同期为0.14元。报告期内，利扬芯片经营活动现金流量净额为1055.65万元，上年同期为611.4万元，主要原因在报告期内，利扬芯片测...[详细]
邓中翰：国家要全力推进芯片等领域的国产自主替代

据网易科技报道，中国工程院院士、中星微集团创建人邓中翰在两会的提案上指出，国家要全力推进芯片等“卡脖子”领域的国产自主替代工作，加大“大基金”对半导体产业各领域的统筹协调和扶持力度。此外，对于“美国加大封锁华为”一事，邓中翰表示，此举将直接导致华为面临多种主要芯片的断供。以下为邓中翰两会提案关于半导体方面的内容：近期，美国商务部升级了对华为的管制措施，非美国公司只要使用美国的技术、软件...[详细]
ARM处理器架构

ARM 架构是构建每个 ARM 处理器的基础。ARM 架构随着时间的推移不断发展，其中包含的架构功能可满足不断增长的新功能、高性能需求以及新兴市场的需要。有关最新公布版本的信息，请参阅 ARMv8 架构。 ARM 架构支持跨跃多个性能点的实现，并已在许多细分市场中成为主导的架构。ARM 架构支持非常广泛的性能点，因而可以利用最新的微架构技术获得极小的 ARM 处理器实现和极有效的高级设计实现...[详细]