首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

5962-9315605HYA

Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:White Microelectronics

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
White Microelectronics
包装说明
DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
55 ns
JESD-30 代码
R-CDIP-T32
JESD-609代码
e0
长度
40.6 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.1 mm
最小待机电流
2 V
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
15.24 mm
Base Number Matches
1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消