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DMN61D8LVTQ-7

CAN Interface IC

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：Diodes

厂商官网：http://www.diodes.com/

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

产品种类
Product Category

MOSFET

制造商
Manufacturer

Diodes

RoHS

Details

技术
Technology

Si

安装风格
Mounting Style

SMD/SMT

封装 / 箱体
Package / Case

TSOT-26-6

Number of Channels

2 Channel

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V, 60 V

Id - Continuous Drain Current

630 mA, 630 mA

Rds On - Drain-Source Resistance

1.1 Ohms, 1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.3 V, 1.3 V

Vgs - Gate-Source Voltage

12 V, 12 V

Qg - Gate Charge

740 pC, 740 pC

最小工作温度
Minimum Operating Temperature

- 55 C

最大工作温度
Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Configuration

Dual

Channel Mode

Enhancement

系列
Packaging

MouseReel

系列
Packaging

Reel

系列
Packaging

Cut Tape

Fall Time

440 ns, 440 ns

Forward Transconductance - Min

80 mS, 80 mS

Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation

1.09 W

Rise Time

301 ns, 301 ns

工厂包装数量
Factory Pack Quantity

3000

Transistor Type

2 N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time

582 ns, 582 ns

Typical Turn-On Delay Time

131 ns, 131 ns

参数对比

与DMN61D8LVTQ-7相近的元器件有：DMN61D8LVT-13。描述及对比如下：

型号	DMN61D8LVTQ-7	DMN61D8LVT-13
描述	CAN Interface IC	ARM Microcontrollers - MCU
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
制造商 Manufacturer	Diodes	Diodes
RoHS	Details	Details
技术 Technology	Si	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TSOT-26-6	TSOT-26-6
Number of Channels	2 Channel	2 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V, 60 V	60 V, 60 V
Id - Continuous Drain Current	630 mA, 630 mA	630 mA, 630 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	1.1 Ohms, 1.1 Ohms	1.1 Ohms, 1.1 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.3 V, 1.3 V	1.3 V, 1.3 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V, 12 V	12 V, 12 V
Qg - Gate Charge	740 pC, 740 pC	740 pC, 740 pC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	Dual	Dual
Channel Mode	Enhancement	Enhancement
Fall Time	440 ns, 440 ns	440 ns, 440 ns
Forward Transconductance - Min	80 mS, 80 mS	80 mS, 80 mS
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1.09 W	1.09 W
Rise Time	301 ns, 301 ns	301 ns, 301 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000	10000
Transistor Type	2 N-Channel	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	582 ns, 582 ns	582 ns, 582 ns
Typical Turn-On Delay Time	131 ns, 131 ns	131 ns, 131 ns
系列 Packaging	Cut Tape	Cut Tape

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