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HCS86KMSH

XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:Harris

厂商官网:http://www.harris.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Harris
包装说明
DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列
HC/UH
JESD-30 代码
R-CDFP-F14
JESD-609代码
e0
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
XOR GATE
最大I(ol)
0.00005 A
功能数量
4
输入次数
2
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DFP
封装等效代码
FL14,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
电源
5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup
26 ns
传播延迟(tpd)
25 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
筛选级别
38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
总剂量
1M Rad(Si) V
参数对比
与HCS86KMSH相近的元器件有:5962R9578301VXX、5962R9578301VXC、5962R9578301VCX、5962R9578301VCC、HCS86DMSH。描述及对比如下:
型号 HCS86KMSH 5962R9578301VXX 5962R9578301VXC 5962R9578301VCX 5962R9578301VCC HCS86DMSH
描述 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDFP-F14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE
功能数量 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK IN-LINE IN-LINE IN-LINE
传播延迟(tpd) 25 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 25 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
JESD-609代码 e0 - e4 - e4 e0
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF - 50 pF 50 pF
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - GOLD - GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches - 1 1 1 1 -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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