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HM5112805FLTD-6

128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
TSOP2
包装说明
0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数
32
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
EDO PAGE
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
JESD-609代码
e0
长度
20.95 mm
内存密度
134217728 bi
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP32,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与HM5112805FLTD-6相近的元器件有:HM5112805F-6、HM5112805FTD-6、HM5113805F-6、HM5113805FLTD-6、HM5113805FTD-6。描述及对比如下:
型号 HM5112805FLTD-6 HM5112805F-6 HM5112805FTD-6 HM5113805F-6 HM5113805FLTD-6 HM5113805FTD-6
描述 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 TSOP2 - TSOP2 - TSOP2 TSOP2
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 - TSOP2, TSOP32,.46 - TSOP2, TSOP32,.46 TSOP2, TSOP32,.46
针数 32 - 32 - 32 32
Reach Compliance Code unknow - unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99
Is Samacsys N - N - N N
访问模式 EDO PAGE - EDO PAGE - EDO PAGE EDO PAGE
最长访问时间 60 ns - 60 ns - 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON - COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 - e0 - e0 e0
长度 20.95 mm - 20.95 mm - 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 134217728 bi - 134217728 bi - 134217728 bi 134217728 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM - EDO DRAM - EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 - 8 - 8 8
功能数量 1 - 1 - 1 1
端口数量 1 - 1 - 1 1
端子数量 32 - 32 - 32 32
字数 16777216 words - 16777216 words - 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 - 16000000 - 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 16MX8 - 16MX8 - 16MX8 16MX8
输出特性 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 - TSOP2 - TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP32,.46 - TSOP32,.46 - TSOP32,.46 TSOP32,.46
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192 - 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES - NO - YES NO
最大待机电流 0.001 A - 0.001 A - 0.0005 A 0.001 A
最大压摆率 0.2 mA - 0.2 mA - 0.22 mA 0.22 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V - 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES - YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL - DUAL DUAL
宽度 10.16 mm - 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 - 1 - 1 1
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