HMT325R7BFR8A-G7,HMT325R7BFR8A-G7 pdf中文资料,HMT325R7BFR8A-G7引脚图,HMT325R7BFR8A-G7电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HMT325R7BFR8A-G7相近的元器件有：HMT31GR7BFR4A-H9、HMT31GR7BFR4A-G7、HMT31GR7BFR8A-G7、HMT31GR7BFR8A-H9、HMT351R7BFR4A-H9、HMT351R7BFR4A-G7、HMT351R7BFR8A-G7、HMT42GR7BMR4A-G7、HMT42GR7BMR4A-H9。描述及对比如下：

型号	HMT325R7BFR8A-G7	HMT31GR7BFR4A-H9	HMT31GR7BFR4A-G7	HMT31GR7BFR8A-G7	HMT31GR7BFR8A-H9	HMT351R7BFR4A-H9	HMT351R7BFR4A-G7	HMT351R7BFR8A-G7	HMT42GR7BMR4A-G7	HMT42GR7BMR4A-H9
描述	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz	667 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz	533 MHz	667 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm	133.75 mm
内存密度	19327352832 bi	77309411328 bi	77309411328 bi	77309411328 bi	77309411328 bi	19327352832 bi	19327352832 bi	19327352832 bi	77309411328 bi	77309411328 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240	240	240	240	240
字数	268435456 words	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	1073741824 words	1073741824 words
字数代码	256000000	1000000000	1000000000	1000000000	1000000000	256000000	256000000	256000000	1000000000	1000000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	256MX72	1GX72	1GX72	1GX72	1GX72	256MX72	256MX72	256MX72	1GX72	1GX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm	7.35 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	1.664 mA	3.374 mA	2.924 mA	2.204 mA	2.519 mA	2.924 mA	2.564 mA	1.844 mA	3.644 mA	4.274 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20
宽度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
最大待机电流	0.318 A	0.588 A	0.588 A	0.588 A	0.588 A	0.408 A	0.408 A	0.408 A	-	-

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如何利用数字电源优化基站系统

　　基站电源工程师面临着众多的设计挑战，无线运营商希望他们降低功耗并减小系统体积，子系统供电还要求一定的排序、监测、裕量调节等复杂任务。为最大程度地满足上述应用需求，设计人员必须采取各种折衷方法，达到包括电源转换效率与尺寸、性能复杂度与成本之间的平衡。本文介绍了一款新型、高度集成的电源方案，在提供系统设计灵活性的同时有效优化系统性能，帮助设计人员克服所面临的挑战。　　提高效率　　基站...[详细]
英特尔AI平台技术助力发掘下一位奥运希望之星

如今，AI技术正以丰富多样的应用为奥运舞台增添精彩与活力，帮助识别并培育未来的奥运之星也是其中的关键一环。英特尔创新的AI平台技术让年轻运动员能够了解自身的真实潜力，并赋予了拥有潜力的新星们追逐奥运梦想的新机遇。然而，对于偏远地区和农村地区来说，由于物理、时间等多方面的限制，发掘体育人才是极具挑战性的。这一现状带来了双重影响：一方面，大量有天赋的人才或将永远无法成为职业运动员；另一方面，体育...[详细]
基于SX1230设计的ISM频段无钥匙进入解决方案

本文介绍了SX1230主要特性，简化方框图，单独应用电路图以及多种输出功率匹配电路图，无钥匙进入系统（RKS）交钥匙参考设计主要特性，详细电路图和材料清单。 SX1230是Semtech 公司的窄带/宽带315 MHz, 434 MHz 868 MHz和915 MHz ISM频段发送器，可编程输出功率从+17 dBm 到 -18 dBm，比特速率高达600kbps，FSK, GFSK, MSK...[详细]
SATA III SSD战况全面启动　记忆体厂推新机种应战

NAND Flash产业正式进入固态硬碟(SSD)全面竞争期，除了NAND Flash大厂和金士顿(Kingston)、创见、威刚等记忆体模组厂纷纷推出SATA III 6Gb/s产品外，新帝(SanDisk)也宣布加入战场，且分别针对OEM系统厂和零售通路市场推出不同产品应战，前者推512GB容量的SATA III介面SSD新产品X100，强调高速传输，零售市场则主打Extreme系列S...[详细]
大陆各地“抢才大战” 台当局难阻民间“西进”意愿

正处在转型升级迈向高质量发展的中国大陆亟需吸引人才、推动创新，各地引才举措日趋优厚。“到大陆发展”成为台湾人才思考前途的重要选项，台当局近期推出若干阻拦之举，既无力也无谓。　　海南、天津最近加入大陆各地日趋激烈的人才争夺战。其中，天津市本月16日公布的“海河英才”行动计划，大幅降低人才落户门槛，自当天中午12时30分至隔日上午8时30分，已有30万人办理落户申请。　　大陆各地引才举措...[详细]
人工智能的出现意味着第四次工业革命的序幕悄然拉开

随着蒸汽机和动力织机的发明，世界工业化开始于 18 世纪后期，从根本上改变了制造商品的方式。一个世纪后，电力和装配生产线实现了大规模生产。在 20 世纪 70 年代，随着计算机驱动自动化的发展使我们能够对机器和网络进行编程，第三次工业革命开始了。今天，第四次工业革命正在改变经济、就业乃至社会本身。在工业 4.0 的广泛标题下，许多物理和数字技术通过分析、人工智能、认知技术和物联网（IoT）...[详细]
示波器使用小技巧汇总

示波器是一种用途十分广泛的电子测量仪器。它能把肉眼看不见的电信号变换成看得见的图象，便于人们研究各种电现象的变化过程。示波器利用狭窄的、由高速电子组成的电子束，打在涂有荧光物质的屏面上，就可产生细小的光点。在被测信号的作用下，电子束就好像一支笔的笔尖，可以在屏面上描绘出被测信号的瞬时值的变化曲线。利用示波器能观察各种不同信号幅度随时间变化的波形曲线，还可以用它测试各种不同的电量，如电压、电...[详细]
助三星实现半导体设备独立！SEMES拟建造R&D中心

据BusinessKorea报道，韩国最大的半导体设备制造商、三星电子子公司SEMES正计划建造一座新的研发中心，旨在帮助三星在半导体设备领域实现独立。据悉，SEMES计划在未来10年投资4000亿韩元（合3.60亿美元），在三星电子器兴（Giheung）芯片工厂附近的一个11万平方米场地上建设R&D中心。报道指出，自两年前日本对韩国施行出口管制以来，半导体设备的重要性日益凸显。与此同...[详细]
Littelfuse碳化硅萧特基二极管具更低开关损耗

Littelfuse近日宣布推出GEN2系列1,200V碳化硅(SiC)萧特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。此类型碳化硅二极管，是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 Littelfuse功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示，此种新型碳化硅萧特基二极管的混合p-n...[详细]
51单片机智能风扇的制作，小小的总结一下

决定要做风扇开始到现在有２０多天的时间了，虽然不是每天都在弄，但基本上都是围绕着这个转。总的来说做了两次，第一次要在３０号交到科联，结果失败了；第二次回家乡办完身份证后开始，因为有了前一次的经验基本上没遇到太大的问题，而且时间比较充足，做起来没那么赶，但效率也有点低。第一次开始做时没有马上焊电路，而是用protues画图和仿真，弄那个弄了两天多，结果还是没出结果，还弄到很烦。后来才认识到...[详细]
比亚迪“云轨”开通全球首条商业运营线

　　比亚迪 “云轨”在银川正式建成通车。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。　　8月31日，深圳比亚迪自主研发的跨座式单轨“云轨”在银川正式建成通车，并在当日开始正式运营。这是“云轨”在全球范围内的第一条商业运营线路。　　作为我国首条具有完全自主知识产权的跨座式单轨，“云轨”具有投入成本低、建设工期短、噪音低、智能安全等优势，契合银川市打造新型绿色交通示范城市的需求。针对银...[详细]
铁电存储器在新型语音电子门锁系统中的应用

作者Email: zk197911@yahoo.com.cn 摘要：本文介绍了Ramtron公司生产的一种新型铁电存储器FM20L08，重点阐述了一种基于FM20L08组成程序存储部分和说话人特征数据部分的新型语音电子门锁系统。应用结果表明，该语音电子门锁系统具有成本低、适用范围广、控制容易的优点。关键词：铁电存储器；数字信号处理器；语音电子门锁 1 引言生物识别技...[详细]
新型Arduino云为物联网市场打开全新开源设计大门

据报道，全球领先的电子与维修产品高端服务分销商Electrocomponents plc旗下的贸易品牌RS Components（RS）目前正在备货Arduino云。Arduino云将Arduino开源体系结构与Linux系统整合在一块开发板，是Arduino家族中首个无线产品成员。　　Arduino云将现有的Arduino Leonardo与一个嵌入式Atheros AR9331 Wi-F...[详细]
关于使用频谱仪测量微弱信号的方法分析和应用

频谱分析仪的主要用途之一是搜索和测量微弱电平信号。这种测量的最终限制是频谱仪自身产生的噪声。这些由各种电路元件的随机电子运动产生的噪声经过分析仪多级增益的放大最后作为噪声信号出现在显示屏上。该噪声在频谱分析仪里通常称为显示平均噪声电平 (Displayed Average Noise Level，DANL )，也俗称为频谱仪的底噪或者灵敏度。虽然使用一些技术可以测量略微低于DANL ...[详细]
曝iPhone 17早期开发已完成：印度富士康代工

10月30日消息，The Information的最新报告指出，iPhone 17标准版已经走过了前期开发的阶段，苹果的合作伙伴富士康正在印度班加罗尔的一家工厂内进行iPhone 17的早期制造工作，苹果内部员工称之为“NPI”。据了解，NPI全称New Product Introduction，中文名为“新产品导入”，NPI是指将研发出的新产品快速准确高效地在制造工厂进行工程试生产，小批量试...[详细]