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IDT7203L25PG

FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

器件类别：存储存储

厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)

器件标准： Rohs认证

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

IDT (Integrated Device Technology)

零件包装代码

DIP

包装说明

DIP,

针数

28

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

25 ns

其他特性

RETRANSMIT

周期时间

35 ns

JESD-30 代码

R-PDIP-T28

JESD-609代码

e3

长度

36.576 mm

内存密度

18432 bit

内存宽度

9

功能数量

1

端子数量

28

字数

2048 words

字数代码

2000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

2KX9

输出特性

3-STATE

可输出

NO

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

4.699 mm

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

30

宽度

15.24 mm

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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