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IS61C81-L20J
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28
器件类别:
存储
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厂商名称:
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
SOJ, SOJ28,.34
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
20 ns
JESD-30 代码
R-PDSO-J28
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
8
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ28,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.19 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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