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IS61VF25636A-6.5B2

256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
256K × 36 高速缓存 静态随机存储器, 7.5 ns, PQFP100

器件类别:存储   

厂商名称:ISSI(芯成半导体)

厂商官网:http://www.issi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
最大时钟频率
117 MHz
功能数量
1
端子数量
100
最小工作温度
-40 Cel
最大工作温度
85 Cel
额定供电电压
3.3 V
最小供电/工作电压
3.14 V
最大供电/工作电压
3.46 V
加工封装描述
LEAD FREE, TQFP-100
each_compli
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
Active
sub_category
SRAMs
ccess_time_max
7.5 ns
i_o_type
COMMON
jesd_30_code
R-PQFP-G100
jesd_609_code
e3
存储密度
9.44E6 bi
内存IC类型
CACHE SRAM
内存宽度
36
moisture_sensitivity_level
3
位数
262144 words
位数
256K
操作模式
SYNCHRONOUS
组织
256KX36
输出特性
3-STATE
包装材料
PLASTIC/EPOXY
ckage_code
LQFP
ckage_equivalence_code
QFP100,.63X.87
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
FLATPACK, LOW PROFILE
串行并行
PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_
260
wer_supplies__v_
2.5/3.3,3.3
qualification_status
COMMERCIAL
seated_height_max
1.6 mm
standby_current_max
0.0850 Am
standby_voltage_mi
3.14 V
最大供电电压
0.1850 Am
表面贴装
YES
工艺
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子涂层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子间距
0.6500 mm
端子位置
QUAD
ime_peak_reflow_temperature_max__s_
40
length
20 mm
width
14 mm
dditional_feature
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
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