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JANSF2N7261U

8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件:JANSF2N7261U

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码
LCC
包装说明
CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数
18
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)
130 mJ
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.24 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-CQCC-N15
元件数量
1
端子数量
15
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
认证状态
Not Qualified
参考标准
MIL-19500/601
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与JANSF2N7261U相近的元器件有:IRHE3130、IRHE7130、IRHE4130、IRHE8130、JANSG2N7261U、JANSH2N7261U、JANSR2N7261U。描述及对比如下:
型号 JANSF2N7261U IRHE3130 IRHE7130 IRHE4130 IRHE8130 JANSG2N7261U JANSH2N7261U JANSR2N7261U
描述 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 8 A, 100 V, 0.185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
零件包装代码 LCC LCC LCC LCC LCC LCC LCC LCC
包装说明 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数 18 18 18 18 18 18 18 18
Reach Compliance Code unknown unknow unknown compli compli unknow compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 130 mJ 130 mJ 130 mJ 130 mJ 130 mJ 130 mJ 130 mJ 130 mJ
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.24 Ω 0.18 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω 0.18 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 15 15 15 15 15 15 15 15
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) - - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
Base Number Matches 1 - 1 1 1 - - 1
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
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