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K4M28163PH-BC1LT

Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Objectid
1122315051
包装说明
FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
7 ns
最大时钟频率 (fCLK)
111 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
S-PBGA-B54
JESD-609代码
e3
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
湿度敏感等级
1
端子数量
54
字数
8388608 words
字数代码
8000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
8MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA54,9X9,32
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.00001 A
最大压摆率
0.085 mA
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
MATTE TIN
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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