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NVD6415ANT4G-VF01

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:

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NVD6415ANT4G-VF01 在线购买

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器件:NVD6415ANT4G-VF01

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
55 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
29nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
700pF @ 25V
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
参数对比
与NVD6415ANT4G-VF01相近的元器件有:NTD6415AN。描述及对比如下:
型号 NVD6415ANT4G-VF01 NTD6415AN
描述 MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 23 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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