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SDF1NA60JAAXGU1N

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Solitron Devices Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
包装说明
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code
unknow
其他特性
HIGH RELIABILITY
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
最大漏极电流 (ID)
1.5 A
最大漏源导通电阻
6 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
50 pF
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
50 W
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
6 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
125 ns
最大开启时间(吨)
30 ns
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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