TK100F06K3(TE24L,Q)

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR

器件标准： Rohs认证

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Toshiba(东芝)

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

175 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

180 W

表面贴装

YES

参数对比

与TK100F06K3(TE24L,Q)相近的元器件有：TK100F06K3(TE24L)。描述及对比如下：

型号	TK100F06K3(TE24L,Q)	TK100F06K3(TE24L)
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR
是否Rohs认证	符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	100 A	100 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	180 W	180 W
表面贴装	YES	YES

热门器件

器件捷径:

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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