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TK39N60X,S1F

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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TK39N60X,S1F 在线购买

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器件:TK39N60X,S1F

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
38.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
65 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
85nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4100pF @ 300V
FET 功能
超级结
功率耗散(最大值)
270W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
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