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W3HG2128M64EEU805ED4IMG

DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, PDMA200,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
110618813
包装说明
DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)
400 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDMA-N200
内存密度
17179869184 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
端子数量
200
字数
268435456 words
字数代码
256000000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
最大待机电流
0.112 A
最大压摆率
3.76 mA
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
DUAL
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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