常用内存参数设置常用内存参数设置行地址控制器 (CAS) 行地址控制器（CAS）可能是最能决定内存模块对数据请求进行响应的因素之一了。 通常我们把这个叫做 CAS 延迟，一般来说，在 SDR SDRAM 中，我们可以设定为 2 或者 3 （当然是根据自己内存的具体情况而定）。对于 DDR 内存来说，我们一般常用的设定为 2 或者 2.5。 内存中最基本的存储单元就是柱面， 而这些柱面通过行和列的排列组成了一个矩阵。 而 每个行和列的坐标集就代表了一个唯一的地址。 所以内存在存取数据的时候是根据行和列的 地址集来进行数据搜索的。 寻址到可用（Trp）/CAS 到 RAS (CMD) 相对而言，Trp 以及 CMD 时间并没有 CAS 时间那么重要，但是也是足以影响内存的 性能的了。一般这个地方设置的值为 3（时钟循环），如果把这个这个值改小为 2，就可以 提升一点内存性能。 列地址控制器(RAS) /其他延迟 内存本身就是一个非常复杂的零部件， 可以这么说， 计算机内部工作过程最复杂的就是 存储器了。 但是幸好这些烦琐的工作对于我们这些最终用户来说是透明的， 而我们平时用来 判断内存性能、质量好坏的这些参数也只是其中的一些部分而已。有两个是不得不提到的， 那就是 RAS 延迟和另外两个延迟。RAS 通常为 6 个始终循环，但是实际上在超频中可以 将它修改为 5。 Command rate（指令比率）是另外一个比较普遍的延迟。允许进行的设置为 1T 或者 是 2T，而通常 2T 是默认的设置，1T 就要比 2T 稍微快一点点。另外一个需要注意的地方 就是 Row Cycle Time (Trc，列循环时间)，这个参数一般为 3 或者 2。 其他一些和内存紧密相关的参数 Bank 激活时间 Bank 循环时间 已装载数据到充电前时间 已装载数据到激活时间 Bank 到 Bank 延迟 大多数的……