联电携手ARM扩大28奈米布局

    晶圆代工厂联电在28奈米制程上扩大布局，与ARM在14日联手宣布，由ARM将提供ARM Artisan实体IP平台和POP IP，使用在联电28奈米高效能低功耗HLP制程上，应用在各种行动装置、通讯、数位家庭等相关产品上，双方已签署正式协议。
联电旗下先进制程包括28奈米的布局，在2014年奋起直追，尽管外界对于联电28奈米制程的营收贡献看法不一，预计比重仍在10%以内，但内部期待甚深，至少可摆脱给外界先进制程落后的观感，也可与最大竞争对手GlobalFoundries一较高下，分食布局IC设计客户订单。


联电的28奈米制程正积极追赶，盼2014年的营收贡献能有所突破。李建梁摄
联电为了强化28奈米的布局，扩大与ARM合作，由ARM将提供ARM Artisan实体IP平台和POP IP，应用在联电28奈米高效能低功耗HLP制程上，领域包括各种行动装置如智慧型手机、平板电脑、无线通讯与数位家庭等相关产品上，提供先进制程及完整的实体IP平台，双方已签署协议。

联电目前28奈米技术蓝图规划分为Poly SiON与HKMG技术，Poly SiON属于低阶制程，台积电在2012和2013年几乎囊括多数市占率，HKMG技术是属于高阶制程，根据业界对于联电这两种制程进度的分析，预计上半年以Poly SiON为主，可打入高通(Qualcomm)、联发科等供应链，下半年再转进HKMG技术制程。

联电表示，28奈米包含双制程技术蓝图Poly SiON与HKMG技术，就功耗、效能与面积，28HLP是业界相当具竞争力的28奈米Poly SiON制程技术，协助行动与通讯产品客户加速新产品上市的时程，随着扩大和ARM合作，纳入ARM POP IP核心技术，可借此强化本公司28HLP平台，公司28HLP制程平台的目标效能可达1.2GHz，已在2013年12月正式问世，已在客户产品试产阶段，2014年初会开始量产。

ARM的POP IP技术可优化ARM处理器，包括针对特定ARM核心与制程调校的Artisan实体IP逻辑库与记忆体实例、提供详细条件和效能优化的基准报告，以及详细的POP实作知识与方法，目前POP IP产品支援40奈米至28奈米制程，并针对Cortex-A系列处理器与Mali图形处理器(GPU)推出FinFET制程的技术支援蓝图。