存储器厂进入堆叠竞赛 传SK Hynix跳过64开发72层产品

集微网消息，据海外媒体报道，随着存储器市场进入超级景气盛况，半导体业者对3D NAND Flash的技术竞争也即将进入高峰，市占排名前几大业者摩拳擦掌，准备在2017年量产64层以上的高容量3D NAND Flash存储器，届时制程良率应是致胜关键。

据朝鲜日报报导，由于智能手机、物联网(IoT)、云端运算、大数据(Big Data)、虚拟实境(VR)等领域对高容量、高传输速度储存装置的需求增加，利用垂直堆叠的3D NAND Flash跃升为热门的高附加价值产品。

2013年8月三星电子(Samsung Electronics)首先量产第一代24层V-NAND存储器后，每年持续增加堆叠层数，2017年即将准备量产第四代64层产品。64层3D NAND Flash上市之后，以TB为单位的高容量时代可望正式展开。

三星的64层3D NAND Flash比48层的堆叠层数增加30%，可放入512Gb容量，几乎1个芯片就可达到智能型手机的储存需求。由于三星在技术上大幅领先其他竞争者，因此以38%的市占率称霸3D NAND Flash市场。

业界认为，这几年三星能在3D NAND Flash市场有如此地位，主要可归功于持续不断的大规模投资，才能技术差距，但近期同业加速技术研发，因此三星无法掉以轻心。

市场排名分列第二、第三的东芝(Toshiba)与西部数据(Western Digital)，最近合作研发64层3D NAND Flash，并已启动测试生产，预估2017年下半就能正式量产。这项产品与三星64层V-NAND存储器的容量相同。

虽然东芝因为核能事业失败遭遇公司创立以来的最大危机，但存储器事业仍非常具有威胁性，3D NAND Flash技术紧追三星。因此在传出东芝可能出售半导体事业部后，格外引发业界关注，似乎也预告未来市场版图洗牌的可能性。

市场排名第四的SK海力士(SK Hynix)目前还停留在48层阶段，但SK海力士打算跳过64层，直接开发72层产品，目标2017年上半完成研发，2017年下半进行试产；若一切顺利，2018年上半可望正式量产72层3D NAND Flash。

半导体大厂英特尔(Intel)则准备以自主研发的3D XPoint技术抢攻3D NAND Flash市场，后续会先发表第一款采用3D XPoint技术的商用化产品。但业界认为，由于3D XPoint与目前NAND Flash是完全不同的结构，短期内还不会对市场造成威胁。

韩国半导体相关业者表示，紧追三星之后的各家业者，电路堆叠技术已大幅提升，关键点应是制程良率；2016年其他业者的48层3D NAND Flash良率无法提高，才会将订单拱手让给三星。预估三星在64层3D NAND Flash市场的影响力还会持续维持一段期间。