三星DRAM扩产下半年涨势将暂停

eeworld网消息，全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划，业界认为，由于建厂时间还要两年，难解今年缺货窘境，不过受心理层面影响，恐让下半年DRAM涨势止歇。

三星决定斥资87亿美元，扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和制程转换良率，决定生产18nm或更先进制程的DRAM。

对于今年DRAM供需，稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万，及威刚董事长长陈立白都表示，今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存（NAND Flash），且只做DRAM 制程升级，未见扩大资本支出增产，加上DRAM市场除个人计算机外，在各类智能装置，如车用、电视、家庭自动化、网络、服务器以及移动装置等普遍使用， 让供给缺口浮现。

三星发言人表示，目前为时过早，无法确认投资计划和新产线用途，详细内容敲定后，会在本月底或 4 月初宣布。

各方看法不一，可能由于华城厂产线多元，17 号厂兴建之初只生产系统芯片，但是三星两度扩建 17 号厂，增加了 DRAM 和 3D NAND 产线，这次扩产目的难以判断。 有人猜测，17 厂内部的新增产线可能用于生产 10nm系统芯片、新工厂则生产 7 奈米系统芯片。

半导体市场变化快速，新厂生产商品常到落成时才拍板定案。 以三星华城厂 17 号线为例，此一产线原本预定制造系统半导体，但是后来改用于生产内存。 三星也在南韩平泽厂（Pyeongtaek）竣工后，才决定平泽厂 6 月启用时将生产 NAND Flash。

三星电子代表说，三星 DRAM 的毛利率超过 45%，尽管三星产品售价高，但是由于质量出众，优于竞争对手，在市场供不应求。 三星是内存霸主，去年在全球 DRAM 市占高达 48%。

集邦统计，首季除利基型DRAM涨幅在10~15%外，其余包括标准型DRAM、服务器DRAM、移动DRAM等，涨幅都在20~35%不等，并在淡季写下单季历史最大涨幅。 预估第2季DRAM合约价仍会续涨，涨幅虽收敛，但也会逾一成。 三星决定增产DRAM，内存模块业界表示，这一波DRAM上涨是由三星领军，使价格回到合理的利润，预料不至于杀价抢市场份额。

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