最强7nm LPP量产！三星姗姗来迟，或拉拢高通抗衡台积电

据外媒报道，三星电子于昨日宣布7nm LPP（Low Power Plus）制程已进入量产阶段，并在工艺中成功应用极紫外光（EUV）微影技术。

据悉，三星7nm LPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML（阿斯麦），型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片。此次三星电子的7nm LPP工艺相比上一代10nm FinFET的面积减少了40%，性能提升20%，耗电减少50%，消耗的掩膜也减少了20%，因此，采用7nm工艺的客户可以减轻设计和费用方面的负担。除此之外，三星电子首次将EUV技术应用于7LPP工艺，以此为始正式推进7nm工艺的商业化，也为实现3nm芯片级别的精细加工工艺打下了基础。

另外，位于韩国华城市的S3厂EUV产线已初步投产，三星计划2020年将再新设一条EUV产线，以服务高需求客户。虽然今年苹果的订单被台积电独吞，但是随着三星的新7nm工艺量产以及产能扩增，在往后的晶圆代工行业里，三星也有了一战之力。

目前，高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺，看起来骁龙8150/8180等SoC希望也很大。今年三星被台积电抢走市场上绝大多数订单后，几乎只接了自己的单。原因之一是台积电率先量产了第二代有EUV加持的7nm芯片，还有另一个原因是台积电作为一家纯晶圆代工厂跟苹果这样的大公司没有其他产品上的竞争关系。

在这种不利的情况下，三星似乎决定拉长战线，在公司上个月公布的技术路线图中，除了有明年将风险试产的5nm和4nm，首度导入闸极全环(GAA)晶体管的3nm也赫然在列，预计在2020年风险试产。

尽管目前来看，在今年7nm的大订单已经几乎都被台积电吃光的情况下，三星的7nm量产姗姗来迟，但是这一技术突破为日后更加精细的加工工艺奠定了基础，指明了道路，也为三星以后抗衡甚至超越台积电埋下了伏笔。