三星、台积电3纳米架构大不同 谁有市场优势？

三星与台积电在先进制程的大战，进入3纳米之后也变得更多元，主要在于两家公司切入3纳米的技术架构大不同。三星押注环绕闸极（GAA）架构，并宣称其在GAA研发进度领先台积电；台积电则延续先前采用的鳍式场效晶体管（FinFET）架构，最快2纳米才评估导入GAA架构。

对于三星发展先进制程态度积极，台积电一向不回应竞争对手动态。业界认为，台积电明年3纳米量产计划仍顺利，且有信心更获得客户支持，也是在客户的选择之下，维持3纳米FinFET架构设计，非常具有优势。

台积电业务开发副总张晓强日前在技术论坛上透露，台积电认为继续采用FinFET架构开发3纳米制程，是能帮助客户取得成功的最佳方案。台积电预期，其3纳米效能可较5纳米提升10%至15%，功耗减少25%至30%，逻辑密度增加1.7倍，SRAM密度提升1.2倍、类比密度则提升1.1倍等。目标3纳米量产第一年，客户产品量能达到5纳米两倍以上，广泛应用于智能机与高速运算（HPC）平台。

三星、台积电分别采用不同架构设计的3纳米制程，将在2022年实际对决。三星采用GAA架构之外，目前三星也开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术：多桥通道场效应晶体管（MBCFET），三星声称相关技术能使芯片效能较7纳米时提高35%、面积减少45%，功耗降低五成，而相关技术的实际量产情况尚须持续追踪。

台积电已确定使用FinFET架构提供客户3纳米制程产能，台积电日前法说会上也宣示，相近该架构将能提供客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，并按照计划开发且进度良好，相较于5纳米及7纳米的类似时期，也持续观察到3纳米在高效能运算及智慧手机应用都有较多客户投入。

另据了解，由于先进制程开发所费不赀，在综合各方面指标后，不仅只有英特尔、苹果用得起，来自欧洲领先的人工智能（AI）芯片大厂Graphcore也已经谈妥3纳米长期合作计划。

Graphcore是台积电3纳米早期合作伙伴之一，这家来自英国的AI芯片业者，多次被外国媒体点评为有机会超过辉达的新创公司，并获得2019年、2020年「最酷的独角兽公司」殊荣，先前在台积电技术论坛上，双方也已郑重介绍未来合作蓝图。