台美日开倒车三星DRAM市占逼近45%

韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)2011年第3季全球DRAM市占率再攀高峰，继第2季突破40%后，第3季全球市占率直逼45%，名列第2、3名的海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)市占率也微幅衰退，台厂南亚科、力晶、茂德在减产、半退出DRAM市场、财务窘迫等各种情况下，全球市占率也都呈现衰退；再者，第3季在多家DRAM厂减产和减少出货的情况下，单季产出成长率意外出现个位数，仅有5%水准。

第3季DRAM报价跌破现金成本，导致尔必达第1家站出来宣布要减少出货，将产出的晶圆片以不封测的情况下暂时放在Wafer Bank，等于变相减产，之后力晶则宣布大规模的减产，加上各厂陆续拿出大幅亏损的财报，导致第3季DRAM产业笼罩在一片愁云惨雾下。

翻开2011年第3季3家台系DRAM厂财报，南亚科单季亏损119.63亿元、华亚科亏损70.22亿元、力晶亏损66.63亿元，合计3家DRAM厂第3季亏损高达256亿元，而茂德则已是连续2季交不出财报，整体来看，台系DRAM厂第3季情况相当之惨烈！

根据市调机构TrendForce统计，全球DRAM产业第3季营收规模为65.66亿美元，合计2Gb DDR3合约价下跌达35%，第3季营收较上季大幅衰退达19.4%，单季产出量较上季成长5! %，不如往年第三季都有10%以上的成长率。

? 磪H全球DRAM厂来看，不只台厂惨亏，而是除了三星之外，所有DRAM厂财报都是赤字表现。

如无特殊意外，台系DRAM厂持续亏损情况在未来几季内都无法逆转，因为不像国际大厂般积极转进40奈米或是30奈米制程技术，台厂碍于资金窘迫，制程转进速度相当慢，在成本与国际大厂越拉越大之下，台系DRAM厂未来前景十分黯淡。

目前转进30奈米制程速度最快的算是三星、海力士和尔必达，其中三星和海力士2家韩系大厂30奈米制程比重已达21%，而尔必达和转投资的瑞晶也预计到了2012年上半30奈米制程也大幅增加；反观台厂制程仍停留在转进40奈米制程的路途中，与国际大厂间的制程技术差距从过去1个世代已拉大至1.5个世代。

2011年个人电脑(PC)市场旺季不旺也是扼杀DRAM产业的另一个凶手，TrendForce统计，第3季PC搭载记忆体的容量只有3.5GB，较上季仅小幅减少1.1%，整个PC市场一直到9月才出现库存逐渐消化后的回补库存动作，使得9月DRAM报价也短暂止跌且10月合约价也缩小跌幅。

不过，现在DRAM产业除了旺季不旺、PC需求疲弱之外，另一个意外是泰国水患导致硬碟缺货，让DRAM产业惨澹的情况是雪上加霜，而硬碟厂预计最? 〞p要到2012年第1季才有可能回复正常供货，DRAM厂其实都有第4季继续坏下去的心理准备。

值得注意的是，以全球DRAM产业第3季市占率来看，三星的市占率首度逼近45%历史新高，这也代表台系DRAM产业供应链几近崩解，且台、日两阵营因为长期依靠台厂生产基地也连带沉沦的现象；不过，最关键的原因仍是PC需求不振以及台、美、日财务状况导致的制程落差。

根据TrendForce统计，三星第3季DRAM营收较上季衰退12.8%，因为幅度仍小于同业，因此市占率反则逆增至44.5%；海力士DRAM营收较上季衰退23.9%，市占则微幅下滑至21.6%；尔必达单季营收减少29.7%，市占率下滑至12.6%；美光营收较上季减少11.9%，市占率11.8%，而台湾仅存的品牌DRAM厂南亚科市占率为2.43%。

三星第3季的35奈米产出比重已有超过30%，加上积极转进伺服器DRAM与Mobile RAM策略有城下，第3季位元成长率达7%；海力士目前38奈米制程良率稳定，也积极提高投片比例，预计第4季末可占总产出的约40%，对于改善海力士成本很有助益。

尔必达从8月开始就减少对力晶的采购量，力晶也以减产和转进代工因应，因此尔必达多数的PC DRAM产出以瑞晶为主。

= >美光第3季位元成长率为22%，在制程转进方面，第3季末42奈米制程比重已达50%，年底可望达到70%，但以目前2Gb DDR2成本结构而言，美光即使以42奈米制程生产其实也无法赚钱，因此美光和旗下的华亚科目前已开始试产30奈米制程，而美光本身的产能比重着重在NAND Flash产品上，因此转进30奈米制程重责大任以华亚科为主。