三星扩产 或砸10万亿韩元

半导体景气复甦，大厂纷纷加码投资。外电报导，三星明年将加码10兆韩元用于扩大半导体制造能量，锁定提升DRAM、NAND芯片与晶圆代工产能。市场解读，三星布局，意在与SK海力士、美光、台积电等同业的竞争。

依韩国媒体与三星消息，三星相关投资主要在平泽工厂，扩产后，三星DRAM月产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。

面对三星在晶圆代工领域紧追，台积电一向不评论竞争对手的动态。三星近期扩大采购极紫外光（EUV）设备，更规划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯丁等城市建立EUV产线，做7纳米与5纳米以下芯片生产基地。

韩联社报导，三星集团今年前九月资本支出创下历史新高，主因研发费用大增、在韩国雇用员工人数创新高（约10.8万余人）。

三星在今年10月推出首款采用自家5纳米技术量产的系统芯片，2021年看好全球需求复甦，将对多个领域展开投资；高速运算应用多元化、客户采用先进制程也带动三星晶圆代工成长。

三星资本支出集中半导体领域，全年资本支出估约35.2兆韩元，创新高，其中，半导体资本支出也创新高、达28.9兆韩元。今年1到9月半导体相关资本支出已达21.3兆韩元。

外媒报导，明年半导体资本支出不低于今年，还将额外加码扩大半导体产能。