飞思卡尔MRAM设备荣获《微处理器报告》创新奖

　　　先进的MR2A16A磁阻随机存取存储器继续赢得行业大奖

德克萨斯州奥斯汀 – 2007年2月26日讯 – 嵌入式半导体产品设计及生产领域的全球领导者飞思卡尔半导体，凭借其4 Mbit MRAM设备荣获In-Stat的年度《微处理器报告》（Microprocessor Report）评选的创新类别奖项。此外，这种MRAM设备还在今年早些时候获得了《Electronic Products》评选出的“年度最佳产品”奖，而且被选为进入EDN的创新奖和EE Times的ACE奖决赛的产品。

MR2A16A设备集非易失性存储（NVM）和随机访问存储（RAM）的最佳特性于一身，可以在新的智能电子设备中实现即用（instant-on）功能和功率损耗保护。MRAM设备适合用于多种商业应用，如联网、安全性、数据存储、游戏和打印机等。MR2A16A设计用于提供一种可靠、经济的单一组件替代产品来代替battery-backed SRAM设备。该设备还可用于cache buffers, configuration storage memories及需要MRAM的高速度、耐久性和非易失性的其他应用。

飞思卡尔高级副总裁兼汽车和标准产品部总经理Paul Grimme表示：“In-Stat的《微处理器报告》等行业著名刊物的长期认可充分证明了我们的MR2A16A MRAM产品的突破性创新和商业潜力。作为实现MRAM技术商业化的第一家公司，我们深信，飞思卡尔已推出的非易失性存储产品将成为10年来半导体技术领域的最重大突破成果之一。”

获奖产品由In-Stat的技术分析家、在国际上得到广泛认可的时事通讯《微处理器报告》背后的工作人员及年度春季和秋季处理器论坛选出。

《微处理器报告》的出版方In-Stat于2月20日宣布了第8届年度分析家选择奖的获奖产品。这些奖项类别代表了半导体行业内人们最感兴趣、最动态多变的产品领域。提名产品须达到以下几个条件：代表重大的技术创新、具有新闻报道价值并且必须是前一年推出的。

若欲了解有关飞思卡尔的MRAM产品及技术的更多信息，请访问http://www.freescale.com/files/pr/mram.html。