Spansion与中芯国际合作新添43nm制程
2008-09-12 来源:互联网
Spansion宣布扩大与中芯国际目前的合作协议,在生产65nm MirrorBit NOR产品的基础上,增加基于300mm晶圆的43nm Spansion MirrorBit ORNAND2闪存产品。借助中芯国际世界级的专业制造专长,Spansion将为其在嵌入式和无线应用领域的客户提供更具成本优势的差异化产品系列。此项合作的具体条款尚未透露。
Spansion首席执行官兼总裁Bertrand Cambou表示:“作为我们的一项重要战略举措,Spansion与中芯国际关于生产业界领先的MirrorBit产品的补充协议,旨在提高 Spansion为客户提供更加丰富的解决方案的能力。同时,与中芯国际关系的日渐深化有助于扩大我们在中国的影响,而中国是对闪存产品需求增长速度最快的市场之一。”
MirrorBit ORNAND2闪存是Spansion旗下MirrorBit ORNAND系列的下一代产品,以更加多元化的高附加值解决方案扩展了公司现有的产品线。凭借公司专有的MirrorBit电荷捕获技术,以及按NAND 阵列架构连接的存储单元,Spansion MirrorBit ORNAND2旨在为更加高速的写入性能和更加广泛的容量提供完美支持。
Spansion专有的MirrorBit技术是公司各种领先产品的技术基础,这些产品包括MirrorBit ORNAND2、MirrorBit NOR、MirrorBit Eclipse以及Spansion EcoRAM。随着Spansion MirrorBit技术的成功转让,中芯国际将大幅提高65nm MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM两种产品的产量。经过十多年的广泛研究、潜心开发和商业成功之后,Spansion MirrorBit技术的效率在全新的MirrorBit ORNAND2技术上得以充分利用,其所需的掩膜与MirrorBit NOR技术相比可减少25%,同时能提供较浮动门NAND解决方案更为出众的质量。由于浮动门NAND闪存技术面临日益严峻的可扩展性挑战,Spansion凭借在电荷捕获技术领域的丰富经验而拥有独一无二的优势,能够以领先的技术节点提供极具竞争力的解决方案。
中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士表示:“通过以领先的节点技术生产Spansion MirrorBit技术产品,中芯国际能够优化我们晶圆厂的利用率。借助与Spansion的密切合作,中芯国际将进一步巩固公司在闪存生产领域的领先地位,从而提升公司在高附加值市场的份额。”
Spansion 43nm MirrorBit ORNAND2技术的开发已经在其位于美国加州桑尼维尔市的亚微米开发中心(SDC)顺利完成,Spansion计划将其转移至中芯国际设在中国武汉的 300mm晶圆厂。与此同时,Spansion计划在2009年大幅提高其SP1旗舰级300mm晶圆厂的45nm Spansion EcoRAM、MirrorBit NOR和Eclipse解决方案的产量。Spansion预计将在其亚微米开发中心完成用于MirrorBit ORNAND2、MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM的32nm MirrorBit技术的开发工作,并于2010年投入量产。
深化与中芯国际的合作关系是Spansion拓展战略联盟策略中的一项关键要素。Spansion计划将其资本投资集中在加快开发领先的MirrorBit闪存技术、开发高附加值、高利润的解决方案,以及扩大其位于日本会津若松的处于行业领先水平的300mm SP1闪存制造工厂。
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