光电打靶器电路图
2014-05-17
随着放电的进行,电容两端的电压逐渐下降,BG1的基极电压逐渐上升,最后使BG1再次导通、BG2截止,释放。
延时时间的长短由C的大小决定,C越大,延时时间越长。
图中D选用2CU型光敏二极管,也可用去掉管壳的3AX81型三极管代替;
J选用工作电压为6V,工作电流为15MA的小型继电器:BG1、BG2的B值应大于50;其它元件无特殊要求,R1:400K,EC:9V。使用时将光敏管用软线引出,固定在靶的适当部位。
上一篇:光电活动靶电路图
下一篇:电控定时自动停车电路图
- 国产高精度、高速率ADC芯片,正在崛起
- 贸泽开售用于快速开发精密数据采集系统的 Analog Devices ADAQ7767-1 μModule DAQ解决方案
- 采用电容型PGA,纳芯微推出高精密多通道24/16位Δ-Σ型ADC
- ADALM2000实验:变压器
- 意法半导体推出灵活、节省空间的车载音频 D类放大器,新增针对汽车应用优化的诊断功能
- 安森美CEO亮相慕尼黑Electronica展,推出Treo平台
- 全差分放大器为精密数据采集信号链提供高压低噪声信号
- 安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台
- 集Hi-Fi、智能和USB多通道等特征于一体的微控制器——迎接数字音频新时代
- 高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互
热门新闻