高盛:DRAM涨势将趋冷明年转跌
2017-05-10
据外电报道,高盛判断,DRAM价格涨势可能在未来几季降温, 2018年价格也许会转跌,决定调降内存大厂美光评等。下面就随网络同学校吧一起来了解一下相关内容吧。
巴伦周刊8日报导,高盛的Mark Delaney报告表示,过去四个季度以来,DRAM毛利不断提高。 过往经验显示,DRAM荣景通常持续四到九季,此一趋势代表DRAM多头循环已经来到中后段。 业界整合使得本次价格高点,比以往更高。
Delaney强调,和DRAM业界人士谈话发现,DRAM现货价的成长动能放缓,价格似乎触顶或略为下滑。 NAND情况较不严重;产业人士表示,NAND价格走升,供给缓慢提高,当前较易取得货源。 Delaney并称,DRAM投资大增,未来价格压力将加剧。 过去两季,DRAM资本设备支出大增46%。
尽管Delaney担忧DRAM利润的上行空间有限,但是他未全盘看坏美光,指称该公司研发64层3D NAND等,为正面发展。
8日高盛报告发布后,美光股价一度下跌2.5%,之后跌幅缩小至0.50%、收在28.06美元。 今年迄今美光大涨28.01%。
三星电子的南韩华城厂,即将扩产的传闻延烧许久。 最新消息显示,三星决定投资3兆韩圜(约26.4亿美元)提升DRAM产能。 不过由于未来11线不再生产DRAM,产能一增一减之下,应该不至于冲击DRAM供给。
韩媒etnews 2日报导,业界消息指出,三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能,生产10nm等级的DRAM。 三星已告知设备厂扩产计划,并在三月份向部分供应商下单,估计投资金额约为2.5兆~3兆韩圜,完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆,预定今年下半初步生产。
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