2011电源突破性新技术
2011-04-02
在电源半导体器件领域,SiC(Silicon carbide:碳化硅材料不但具备击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。因为这些特性,SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件,罗姆已经率先将基于碳化硅的肖特基势垒二极管(SBD)投入量产。罗姆将在现场展出这些基于碳化硅的元器件与晶圆。
飞兆半导体将除展示其最新的功率技术和便携技术外,飞兆半导体技术专家还将于同步功率技术创新研讨会上发布白皮书。飞兆半导体技术行销部首席经理张三岭将发表题为 《mWSaver™技术──最先进的节能技术》的演讲。mWSaver技术是围绕脉宽调制控制器的最先进技术,其待机功耗低于10mW,远远超出能源之星 (Energy Star) 五星级要求(待机功耗 < 30mW),并为便携设备充电器产品建立了全新的功耗标准。而飞兆半导体技术行销部资深经理陈立烽将发表有关LED照明解决方案的演讲。
Vicor公司则将展示其最新的VI BRICK™ PFM™功率因素校正隔离AC-DC转换器和其他多个电源方案。这是采用了零电压高频率自适配置单元拓朴 (Adaptive Cell™)。这种新的架构令VI BRICK™ PFM™转换器可以在全球AC电压范围内维持高效率的电源转换,提供48V的直流输出,最大输出功率330W,效率高达93%!并且体积非常细小。
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