基于GaN的高效率65-W有源箝位反激式充电器参考设计

GaN Systems宣布与Silanna Semiconductor合作，为最高功率密度、高效率的基于GaN的65W有源箝位反激式（ACF）充电器提供一种新的参考设计。该参考设计现已在Silanna Semiconductor上市，为ACF USB-C PD GaN充电器提供了一种简单的设计，缩短了设计周期及产品上市时间。

该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，ACF拓扑设计通常在高压侧和低压侧配置有两个晶体管。新的充电器参考设计使用了Silanna半导体公司的sz1130acf脉宽调制器（PWM）控制器和GaN Systems的GS-065-008-1-l650v GaN功率晶体管，控制器中集成了高边FET。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET来降低BoM成本。

主要优点和特点包括：超高密度：30W/in^3；高效率：峰值效率>94%；工作温度低：<95°C最高元件温度；更好的EMI设计：干净的波形几乎零电压尖峰或振铃；支持广泛的应用：5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A 输出电压；支持USB-PD。