采用KS0713控制芯片的SG12864-5C液晶显示模块的应用
2012-02-08 来源:21IC
无论将其用做指示器还是用来照明,LED的效率、可靠性和成本都是难超越的。白色LED用作照明光源就像它用LCD背景光源一样,正在迅速普及,但是由于其正向电压一般为3~5V,用一节电池驱动白色LED显然存在种种困难。本设计利用单栅施密特倒相器,例如Texas Instruments 公司(www.ti.com)的SN74AUC1G14或者Fairchild 公司(www.Fairchildsemi.com)的NC7SP14 的超低工作电压性能(图1)。当首先加上电池电源时,肖特基二极管D1导通,大家熟悉的施密特触发器非稳态多频振荡器开始振荡,振荡频率取决于定时元C2和R1。当IC1的输出变为高电位时,晶体管Q1导通,电感器L1中的电流开始逐渐增大。电感器电流的最大电平,即峰值电平为IL(PEAK)=(VBATT-VCE(SAT))×tON/L1,式中VBATT为所加的电池电压,VCE(SAT)为Q1的饱和电压,而tON为施密特触发器输出高电平脉冲的持续时间。如果Q1的饱和电压譬如说低于50 mV,则可以忽略VCE(SAT)并将公式简化为IL(PEAK)=VBATT×tON/L1。
在 tON结束时,倒相器输出变为低电位,Q1截止,电感器L1两端的电压极性反转。由此产生的"逆转"电压立即使Q1的集电极电压升高到超过VBATT,并使串联的LED和D2正向偏置。这一动作使LED因有等于IL(PEAK)的最大正向电流流过而发光,并将IC1的供电电压VBOOT升高到比VBATT还大的一个二极管压降。此时D1是反向偏置的,而且反向偏置的时间与电路保持振荡的时间相同。由此产生的IC1的"自举"电源电压确保非稳态多频振荡器即使在VBATT降低到很低电平时仍能够继续工作。C2的电容值和R1的阻值应选择得能产生几微秒的时间常数,从而允许电感器L1的电感值很小。例如,一个参数值分别为C2=68 pF,R1=39 kΩ和L1=47μH的测试电路在VBATT=1V时产生约为150 kHz的工作频率。由此得到的tON=3μs这一参数值可导致约为65 mA的峰值电感器电流,并使白色LED产生极高的亮度。即使VBATT小至500 mV,相应的33 mA峰值电流仍可产生足够的LED发光强度。
为了在最低电源电压下维持高峰值电流,并因而产生足够的LED亮度,电感值应该尽可能小些。然而,L1也不能太小,否则峰值电流在VBATT为最大值时就可能超过LED的额定最大电流。切记电感器应该有足够大的额定电感值,以保证其在最大峰值电流值时不会饱和。开关晶体管Q1应该具有很低的饱和电压,以便将损耗降到最低并产生尽可能最高的峰值电流。增加D3和C4两个元件,能使电路产生一个辅助电源电压VAUX,供用来驱动低功耗电路,而不会对LED的亮度产生不利影响。在电池电压为1V时,该测试电路能使白色LED产生良好的发光强度,并可向辅助负载输出4.7V电压和几乎1.5 mA的电流。即使在VBATT=500 mV时,该测试电路也可为10kΩ负载提供340 μA的电流,并维持足够大的LED亮度。要注意的是,IC1无法从辅助电路获得供电,因为VAUX很容易超过所建议的两类器件的最大额定电压。
最小启动电压主要取决于用做D1的器件。采用高质量肖特基二极管的种种测试表明,最小加电电压只有800mV。你只要用pnp晶体管Q2替代D1,就可进一步降低最小启动电压电平(图1b)。这种改进使得测试电路在室温下仅需650 mV就可以启动。但要注意的是,Q2的集电极-基极结在静态条件下变成正向偏置,从而造成其基极偏置电阻浪费电能。该电路尽管非常简单,但却能使高亮度LED产生引人入胜的效果。Lumileds公司生产的Luxeon系列LED能使该电路显示出其威力。在将L1降低到10μH和VBATT=1V的条件下,该电路能在Luxeon LXHL-PW01白色LED中产生了220 mA的峰值电流,从而产生耀眼的光强度。
图1 这一电路利用超低电池电压,可使白色LED产生耀眼的强度 (a)。经过一项改进之后,该电路可以使用更低的电池电压 (b)。
下一篇:拆卸集成电路的几种方法
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样