仙童:人材定成败
2008-09-09 来源:电子工程世界
仙童半导体是整个半导体发展史的一个传奇。如果不是当初的八叛逆加入到仙童,那么也就没有现在的Intel,AMD,NS,ADI等等众多的半导体行业领军者。作为支撑硅谷崛起的“神话”,仙童半导体公司走过了一段辉煌而曲折的历程。而这段历程的成功与失败都因人才而致,正所谓“成也萧何,败也萧何”。如今的仙童留给我们的只有那幅经典的八叛逆照片和一段传奇。
半导体界公认的世界上最大、最富创新精神和最令人振奋的半导体生产企业,为硅谷的成长奠定了坚实的基础。更重要的是,这家公司还为硅谷孕育了成千上万的技术人才和管理人才,它不愧是电子、电脑业界的“西点军校”,是名符其实的“人才摇篮”。一批又一批精英人才从这里出走和创业,书写了硅谷一段辉煌的历史。
八位年轻的科学家从美国东部陆续到达硅谷,晶体管之父投奔到肖克利麾下。与肖克利在研发方向上产生矛盾后,八位青年在诺依斯带领下离开了实验室,肖克利怒不可遏地骂他们是“八叛逆”(The Traitorous Eight)。“八叛逆”找到了已经60多岁的费尔柴尔德先生,他仅仅提供了3600美元的种子基金,要求他们开发和生产商业半导体器件,并享有两年的购买特权。于是,“八叛逆”创办的企业被正式命名为仙童半导体公司,“仙童”之首自然是诺依斯。到1958年底,“八叛逆”的小小公司已经拥有50万销售额和100名员工,依靠技术创新优势,一举成为硅谷成长最快的公司。1959年2月,德克萨斯仪器公司(TI)工程师基尔比(J.kilby)申请第一个集成电路发明专利被公诸于众,诺依斯同时正在用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线,这是解决元件相互连接的最好途径。仙童半导体公司开始奋起疾追。1959年7月30日,他们也向美国专利局申请了专利。
60年代的仙童半导体公司进入了它的黄金时期。到1967年,公司营业额已接近2亿美元,在当时可以说是天文数字。公司在业内的地位也越来越重。然而,也就是在这一时期,仙童公司也开始孕育着危机。母公司总经理不断把利润转移到东海岸,去支持费尔柴尔德摄影器材公司的盈利水平。目睹母公司的不公平,“八叛逆”陆续脱离了仙童公司。80年代初出版的著名畅销书《硅谷热》(Silicon Valley Fever)写到:“硅谷大约70家半导体公司的半数,是仙童公司的直接或间接后裔。在仙童公司供职是进入遍布于硅谷各地的半导体业的途径。1969年在森尼维尔举行的一次半导体工程师大会上, 400位与会者中,未曾在仙童公司工作过的还不到24人。”
人才大量流失是硅谷发展的“福音”,给仙童半导体带来的却是一场灾难。从1965年到1968年,公司销售额不断滑坡,还不足1.2亿美元,连续两年没有赢利。人们都清楚地意识到,它再也不是“淘气孩子们创造的奇迹”了。
为了找人接替诺依斯的工作,费尔柴尔德不惜重金从摩托罗拉公司请来霍根博士,亡羊补牢,以显示其“求贤若渴”的姿态。在执政仙童6年期限内,他尽了最大的努力,使公司销售额增加了两倍。然而,仙童半导体公司的灵魂人物已经离去,它的崩溃不过是时间迟早问题。1974年,无力回天的霍根,把权柄交给36岁的科里根, 而他的继任者却在二三年内,让这家公司从半导体行业的第2位,迅速跌落到第6位。
70年代末,科里根终于发现,挽救仙童半导体公司的最好途径是把它卖掉。几经周折,他最终选定了一家拥有21亿美元资产的施拉姆伯格(Schlumberger)公司,尽管这是一家法国公司,而且是经营石油服务业的公司。
外资似乎也不能给日益衰败的仙童半导体注入活力,虽然施拉姆伯格公司招聘到一批研究人工智能的人才,原本可以让仙童快速进入机器人生产领域,但他们没有这样做。实际上,在继续亏损后,仙童又被用原价的三分之一转卖给另一家美国公司,买主正是原仙童总经理斯波克管理的国民半导体公司(NSC),仙童半导体品牌一度寿终正寝。1996年,国民半导体公司把原仙童公司总部迁往缅因州,并恢复了“仙童半导体”的老名字。但是,拥有员工6500人的“硅谷人才摇篮”却不得不退出了硅谷。命运多舛的“仙童”,1997年3月被国民半导体公司以5.5亿的价格再次出售。
被人买来卖去的滋味肯定不好受,仙童半导体CEO和总裁庞德(K.Pond)希望对公司实施了战略性重组。仙童半导体公司终于具有中立的身份。之后的仙童虽然也叫Fairchild,但意义却与原来大不相同。事实上1987-1997这十年中Fairchild在业界消失了,1997年的再度回归则冠名为飞兆半导体。
果不其然,庞德旗下的飞兆半导体开始腾飞的步伐,目前的飞兆半导体是一家专门从事电源管理的半导体设计制造企业,世界排名前三位,年营业额16亿美元左右。
下一篇:摩托罗拉:失魂落魄
- 把半导体做小,把时代做大, 一次点沙成金的蝴蝶效应
- Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
- 安森美半导体以 24 亿美元现金成功完成收购Fairchild半导体
- Fairchild的新Buck-Boost稳压器 解决了移动设备的过热及掉电问题
- 安森美半导体宣布收购Fairchild半导体已获美国监管机构批准
- Fairchild USB Type-C 控制器兼容最新 Type-C 规格
- Fairchild发布了FDMQ8205,增强了 GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术
- Fairchild 的集成化LED照明解决方案简化智能LED照明产品的开发
- Fairchild推出适用于混合动力、纯电动汽车应用的分立式IGBT
- Fairchild车载FL7734可调光LED照明解决方案
- 华为固态电池新突破:硫化物电解质专利发布,破解液态电池衰减难题
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- 48V 技术的魅力:系统级应用中的重要性、优势与关键要素
- 如何选择电压基准源
- 南芯科技推出面向储能市场的80V高效同步双向升降压充电芯片
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 恩智浦发布MC33777,革新电动汽车电池组监测技术
- 废旧锂离子电池回收取得重要突破
- Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样