印度将建置总值12.5亿美元太阳光电计划
2008-08-27 来源:互联网
在印度东部城市Haldia将建置一个包括一座发电厂在内的太阳能光电产业新计划,总值约12.5亿美元。该光电产业计划号称是全球最大的整合式太阳能产业园区之一,将由印度本土业者Bhaskar Silicon负责布建,在总面积达
根据印度当地媒体的报导,该太阳能光电产业计划将在第一阶段,达到每年生产2,500公吨多晶硅材料的目标,并在两年后升级至5,000公吨。此外该园区还将设置一座太阳能发电厂,每年可产出250百万瓦特(megawatts)的电力`
印度West Bengal地方政府的工业与贸易部长Nirupam Sen表示,上述的太阳能发电厂是为了未来当地的半导体制造所设,不过他并未透露相关计划细节。Bhaskar Silicon总经理Jyoti Poddar则表示,该公司将与德国业者Centrotherm Photovoltaics合作兴建该太阳光电产业园区;此外包括美国业者Perseus也将参与这个计划的投资。
相关文章
- 华为固态电池新突破:硫化物电解质专利发布,破解液态电池衰减难题
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- 48V 技术的魅力:系统级应用中的重要性、优势与关键要素
- 如何选择电压基准源
- 南芯科技推出面向储能市场的80V高效同步双向升降压充电芯片
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 恩智浦发布MC33777,革新电动汽车电池组监测技术
- 废旧锂离子电池回收取得重要突破
- Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
热门新闻
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
最新频道