介绍一种实用、优秀的MOSFET驱动结构
2013-12-30 来源:电源网
现各大公司的MOSFET驱动器层出不穷,主要是针对小功率使用,使用有很多限制。在工业应用上,大批还是用传统的驱动方式。但传统驱动方式往往存在隐患。
比如桥式驱动,由于隔离电容的存在,带来瞬态不好。由于隔离电容与驱动初级等效电感的时间常数很大,往往大于调整速度,很难保证动态调整时不引起谐振。这是电源在开关机及运行过程中的主要失效形式,却一直得不到重视。往往造成开关管损坏却始终查不到原因,大部分人把原因就归于开关管质量不好。
桥式驱动往往用于移向控制,由于桥式驱动的固有缺陷,会在关闭时产生反向电平,情况严重时会产生直通。
这里介绍的磁芯驱动器结构就是针对传统驱动结构的一个改进。适合于占空比不大于50%驱动的情况,原名叫阻断驱动结构,原理结构如下:
具体实现的一种:开关管为共漏结构。二极管为稳压管。二级管为稳压管的原因是在某一窄脉冲情况下,漏感与输出电容的谐振电流会反射回初级。传统做法是在输出端口对电源、地增加二极管泄放。实测此反射时间很短,稳压管可以满足要求。
几种带载工作波形:
上图相反,驱动变压器漏感大,Cgs大。由于磁芯自平衡作用,最终产生了较大剩磁。此时主要从磁芯入手,增大磁芯,减小漏感。甚至引线电感。如果还用钳位的话,会带来驱动电流的急剧升高,得不偿失。
可见阻断驱动结构像是驱动变压器的测试设备,它的优化就是磁芯的优化。
一种成品结构:
图中附加的二极管是为大功率驱动时,使用辅助绕组钳位反向电压而准备的。
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