Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关

器件采用节省空间的miniQFN封装，在2.7V下的最大导通电阻为0.6Ω

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 6 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关--- DG2735A、DG2725和DG2599。这些器件具有低工作电压和低导通电阻，采用小尺寸miniQFN封装，可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。

DG2735A和DG2725是双路SPDT开关，采用miniQFN10封装，工作电压为1.65V～4.3V。DG2735A可确保在2.7V下的最大导通电阻为0.6Ω，在2.7V下的开启和关断时间为64ns和42ns，是接收机和扬声器中音频输出切换的绝佳选择。DG2725在3V下的典型导通电阻为0.7Ω，同时具有更低的寄生电容。

DG2599在1.65V～5V电压下工作，可用作4路SPDT或双路DPDT开关。器件采用minQFN16封装，在3V下的典型导通电阻为2.8Ω，-3dB的带宽高达186MHz。DG2725和DG2599具有掉电保护功能，在V+=0V，VCOM1或VCOM2=4.3V情况下，可以确保COM1和COM2的漏电流小于1µA。

新的DG2735A、DG2725和DG2599模拟开关适合用在消费、计算和通信产品中，如手机、PMP和PDA等、调制解调器和外设、计算机、电子书，以及平板电脑等。这些器件兼容1.65V逻辑电平，易于与低电压的DSP或MCU控制逻辑接口，很适合直接用单节锂离子电池供电的情况。

今天发布的器件采用Vishay的亚微米CMOS低压工艺技术，按照 JESD78规范测试的闩锁保护电流大于300mA。在导通时，开关在双方向上能以同样的性能传输小于电源轨的信号，在关断时能够阻断电源级别的信号，并且保证采取先断后通的切换操作。

Vishay Siliconix严格遵守对社区和环境的承诺，使用无铅器件端接生产这些模拟开关。器件的miniQFN封装采用镍钯金器件端接（用后缀“-E4”表示），满足所有JEDEC标准对回流焊和MSL等级的要求。开关符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。