使用不同时序驱动整流器让计算机电源“白金”化
2011-08-21 来源:chinaaet
引言
80+和计算机产业拯救气候行动计划(Climate Savers Computing) 给计算机电源设立了一个强有力的效率标准。这些标准的“白金”级别规定计算机电源在20%额定负载状态下必须有90%的效率,50%额定负载时效率必须达到94%,而在100%负载时效率必须达到91%。为了满足这些标准,一些电源设计人员选择使用一个具有同步整流的相移、全桥接DC/DC转换器。这种拓扑结构是一种比较好的选择,因为它可以在主FET上实现零电压开关(ZVS)。一种普遍使用的驱动同步整流器的方法是利用已经存在的信号驱动主FET。这样做存在的唯一问题是要求主FET时滞,以实现零电压开关。这会导致两个同步整流器在快速续流期间同时关闭,从而允许过多的体二极管导电,最终降低系统效率。本文的目的是建议使用不同的时序,驱动这些同步整流器,从而减少体二极管导电并最终提高整体系统效率。
市场上有一些脉宽调制器(PWM),其设计目标是用于控制相移、全桥接转换器,而非驱动同步整流器(QE和QF)。工程师们发现他们可以通过PWM控制器的控制信号OUTA和OUTB来控制同步FET,这样便可以在本应用中使用这些控制器。图1显示了其中一款转换器中的一个功能示意图。
图1 同步整流改进型相移、全桥接转换器
问题
通过延迟H桥接(QA、QB、QC、QD)的FET导通,PWM控制器有助于在这些转换器中实现ZVS。FET QA和QB导通和断开转换过渡之间的延迟(tDelay)会使同步FET QE和QF同时断开,从而允许其主体二极管实施上述导电行为。下列方程式较好地估算了续流期间QE和QF的主体二极管传导损耗:
其中POUT为输出功率,VOUT为输出电压,VD为主体二极管的正向压降,而fs为电感开关频率。
QE和QF的主体二极管传导损耗(PDiode)过多会使设计达不到“白金”标准。更多详情,请参见图1和图2。如图所示,OUTA驱动FET QA和QF,而OUTB驱动FET QB和QE。V1为LOUT和COUT滤波器网络输入的电压,而VQEd和VQFd为相应同步整流器QE和QF的电压。
图2 图1所示转换器的时序图
解决方案
若想减少QE和QF主体二极管导电,最好是在QA和QB延迟期间(tDelay) 让这些同步整流器开启。要做到这一点,必须通过其自有输出来驱动FET QE和QF,其中“导通”时间而非同步的“断开”时间会重叠。图3显示了具有6个单独驱动信号(OUTA到OUTF)的相移、全桥接转换器的功能示意图。通过根据QA到QD的边缘,导通和断开OUTE及OUTF,可以产生QE(OUTE)和QF(OUTF)的信号。表1和图4显示了完成这项工作所需的时序。图4所示理论波形表明,这种技术去除了主体二极管导电,其会在tDelay期间两个栅极驱动均为断开时,与图2所示栅极驱动信号一起出现。
表1 OUTE和OUTF导通/断开过渡转换
图3 使用表1时序的相移、全桥接转换器
图4 减少QE和QF体二极管导电的时序图
试验结果
为了查看这种技术在减少主体二极管导电方面的效果如何,我们对一个390-V到12-V相移、全桥接转换器进行了改进,旨在通过图2和4所示信号驱动FET。
图5显示了同步FET(QE和QF)栅极的波形图,它们通过OUTA和OUTB PWM输出驱动。图中,在OUTA和OUTB之间的延迟时间(tDelay) 期间可以观测到主体二极管导电。
图5 QE和QF主体二极管导电波形图
图6显示了同步FET(QE和QF)栅极的波形图,它们通过图3所示OUTE和OUTF信号驱动。这些信号都产生自TI新的UCC28950相移、全桥接控制器。图6表明FET QE和QF导通的同时主体二极管没有导电。尽管仍然可以看到一些主体二极管导电,但没有图5那么多。
图6 显示了QE和QF低主体二极管导电的波形图
我们对两种驱动方案(OUTA和OUTB与OUTE和OUTF)从20%到满负载条件下600-W DC/DC转换器的效率进行了测量。在下一页的图7中,显示了这两种驱动方案的转换器效率数据。我们可以看到,相比使用OUTA和OUTB,在50%到100%负载时使用OUTE和OUTF的效率高出约0.4%。0.4%效率增加看起来似乎并不多,但在设计人员努力想要达到“白金”标准时效果就不一样了。
图7 不同QE和QF驱动方案下600-W DC/DC转换器的效率
结论
即使我们可以通过一个并非为同步整流(OUTA和OUTB驱动方案)而设计的相移、全桥接控制器来对一个具有同步整流器的相移、全桥接转换器进行控制,实现ZVS所要求的OUTA和OUTB之间接通延迟也会使两个同步FET在同一时间(tDelay) 关闭。这种延迟会导致在FET快速续流期间出现过多的体二极管导电。本文表明更加有效的方法是:在快速续流期间叠加同步整流器的“接通”时间,以便让体二极管不导电。利用这种方法,虽然体二极管导电并没有完全消失,但其被极大减少,从而提高了整体系统效率,让“白金”效率标准更容易达到。
上一篇:晶体管驱动负载探索
- 大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案
- 高频开关整流器的保护电路意思,导通呈低阻态
- 高频开关整流器的功率因数补充,多次谐波电流构成
- 怎么去设计一种基于MATLAB的三电平PWM整流器?
- 全新GBJA及KBJB本体矮化型桥式整流器系列
- 为持续供电而生:PANJIT全新高压整流器强势来袭,ORing Diode电路应用
- 变频器的30个基础知识(一)
- Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器
- Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案
- Vishay推出额定电流高达7 A的新款60 V、100 V和150 V TMBS®整流器
- 华为固态电池新突破:硫化物电解质专利发布,破解液态电池衰减难题
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- 48V 技术的魅力:系统级应用中的重要性、优势与关键要素
- 如何选择电压基准源
- 南芯科技推出面向储能市场的80V高效同步双向升降压充电芯片
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 恩智浦发布MC33777,革新电动汽车电池组监测技术
- 废旧锂离子电池回收取得重要突破
- Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样