单片机中程序存储器与数据存储器
2016-09-12 来源:eefocus
EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器。EEPROM应属于数据存储器,但是它制造工艺和FLASH更近似。 FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。 EEPROM不能用来存程序,通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次,而且可以按字节擦写。
2.因为程序存储器和数据存储器是独立编址的,访问的时候可以采用不同的指令和不同的选通信号来区分。
第一,单片机采用三总线结构传递数据。地址总线、数据总线、控制总线。传递数据的过程是先寻址,再传递数据。即先送一个地址信息(由微处理器向总线写一个地址信息),由寄存器(也可能是程序存储器,也可能是数据存储器)根据这个地址,把微处理器要读取的数据写到总线上,微处理器再读取这个数据。整个过程由控制总线控制。所以每次读的数据是针对那个地址对应的寄存器操作的,不会发生混乱。写数据时一样,先寻址,再写数据,数据就写入刚才寻址时的地址对应的那个寄存器里去了。 第二、程序存储器、数据存储器有不同的选通信号,在一个指令周期里,是不同的时间选通的,所以不会混乱。 第三。选通的引脚不同。拿片外数据存储器来说,是P3的第6和第7引脚做选通信号,程序存储器是PSEN做选通信号,他们接在各自器件的选通引脚上,所以不会混乱。 第四,指令不同。拿汇编指令来说。MOV是程序存储器传递数据用,MOVX是数据存储器传递数据用(对片外而言)。 总之,记住三总线传递的方式,先寻址,再传数,由控制总线控制,这个模式,你就容易理解这个了。 单片机的p2和p0分别传递地址的高八位和低八位。同时p0还传递数据。在时序信号的ALE高电平期间,锁定地址信息。/PSEN是选通程序存储器的。在/PSEN低电平期间是向程序存储器传递程序代码,/WR和/RD是选通数据存储器的,即在/WR和/RD(p3的六脚和七脚)低电平期间把数据传递给数据寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同时间变为低电平的,没有重叠的部分。也就是说,当/WR及/RD变成低电平时,/PSEN已经恢复高电平了,由P0口传出的数据信息当然只会传到数据存储器里,因为程序存储器已经不再处于选通状态了!!从表面看,都是从p0口传出的,但因为选通器件的时间不同而不会发生混乱。当然我说的是片外程序存储器和数据存储器的的情况,其实对片内也一样,还是三总线的这种控制方式,使它们在不同的时间被选通,而不至于发生冲突。 看看单片机的一个电路图。你会发现p0既跟74LS373连,又跟8155或8255或键盘或数模转换器等等连。而8155或8255或键盘或数模转换器等等对单片机而言是当做数据存储器处理的。74LS373连的多半是程序存储器。那么p0送出的信号不是两者都接受了吗?注意看ALE接74LS373的G接口,锁存地址用,PSEN有时用有时不用。WR和RD接数据存储器的选通接口。因为WR和RD跟ALE的信号在时间上没有重叠部分,所以p0的信号不会被程序存储器和数据存储器同时收到。
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