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STM8L探索套件学习笔记-测量电流IDD(九)

2017-02-18 来源:eefocus

刚拿到探索套件,还以为MCU直接测量电流啊,原来是通过电压间接测量的。当JP1处于ON的位置,能够提供IDD测量电路测量;JP1处于OFF位置,测量装置被旁路;当JP1跳线帽被拔出,可以使用万用表测量管脚1和2的电流。

测量电路的电路如下图所示,这些电路在板上LCD下面:

检测电路首先经过U4:MAX9938高精度高边电流检测放大器,放大倍数50V/V,U6是单路控制双边开关,当引脚4为高电平,引脚1和2能够双向导通。U7是反相器。T1和T2是P沟道增强型场效应管,作为模拟开关用途,当引脚3为低电压时,场效应管导通,R21被旁路。U3是14阶脉动进位计数器,引脚12是使能计数端,低电平有效。外接RC振荡器30KHZ,经过2的13次方脉冲,大约150ms时间引脚2Q13才能输出脉冲。

默认情况也就是PC4没有输出低电平,计数器没有工作,Q13/Q14一直输出低电压,所以T1和U6是导通的,T2是关闭的,R21被旁路,等效电路如下:

VOUT=50(放大倍数)×(R20)电压压降=50×IDD*2

IDD=VOUT/100

 

当PC4为低电平,计数器工作,当Q13输出高电平,等效电路为

VOUT=50(放大倍数)×(R20+R21)电压压降=50×IDD*2K

IDD=VOUT/100K

 

今天我们先测量下默认情况的IDD的电路大小,也就是测量PF0/ADC1_IN24通道的电压,根据昨天的方法,先测量参考电压VDD,再测量24通道电压,然后按照换算公式:

24通道电压= ADC寄存器/测量内部VREF*1.224。

即IDD=24通道电压/100

测量结果是6.8mA,用万用表测量VDD电压2.954V,供电3.3V引脚电压2.966V,差距12mV,除以电阻R20,得到电流IDD=6mA,与测量值接近。这里没有做优化所以很大,官方带的范例测量结果是1.5mA

实物图


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