晶振选型不可忽视的因素：起振时间

晶振起振时间大概是7-15t，t由如下公式计算：
 

    Lm 、 Rm 分别是动态电感和电阻参数， Rn 振荡器的负电阻。

    参数gm 是振荡器的跨导， f 晶体的共振频率，CL 是负载电容。
 

    从这个等式中可以很容易看出CL 越小，起振时间越快。如果你有一个周期循环应用（a duty-cycled application）,因为你的系统花费更多的时间在睡眠模式或者发送接收等待参考时钟开启的时间短，，也许你可以节省你的电源。同时，低的负载电容意味着振荡器的负电阻高，那么振荡器可以维持在低功耗下。有这些电源方面的优势，为什么不选择一个高的负载电容的晶振？答案就是频率的稳定性。空载振荡频率fs如下：

 

    振荡器频率飘移是其负载电容的函数：
 

    这样你可以看出，如果寄生电容改变，就是公式中的Co，如果CL 很大，那么频率变化的就不会很大。但如果使用低的CL晶体管，寄生电容笑的改变不会引起频率的大变动。总之，晶振负载电容的选择需要好好权衡电源消耗和频率稳定 。选择加载电容值具体信息参见 MSP430™ 32kHz crystal oscillation application note ，网址是http://www.ti.com/lit/an/slaa322b/slaa322b.pdf?DCMP=blog-frequency3&HQS=blog-frequency3-ap1。

 

    到这个博客为止，已经是这个系列的第三部分，我一共分了4部分详细讲解如何合理的选择一个晶振。

 

    如果你没有阅读前两部分，可以从下面提供的网址进行阅读。

 

    第一部分 ：http://www.ti.com/blog-frequency3-bp1

    第二部分：http://www.ti.com/blog-frequency3-bp2

    原文出处：http://e2e.ti.com/blogs_/b/connecting_wirelessly/archive/2014/02/03/frequency-references-startup-time.aspx

 

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